|
Премия им. А. Ф. Иоффе | |
| 1999 |
П. С. Копьев,
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин,
С. В. Иванов
Получение методами самоорганизациии и исследование свойств гетероструктур с квантовыми точками Ps@kopjev.ioffe.ru |
| 2000 |
П. Г. Баранов,
Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, В. И. Санкин
Широкозонные полупроводники с большой энергией связи - перспективные материалы для современной электроники Pavel.Baranov@mail.ioffe.ru |
| 2001 |
Е. Л. Портной, Г. Б. Венус,
А. Г. Дерягин, А. Б. Журавлев, В. И. Кучинский
Пикосекундные инжекционные гетеролазеры Efim@portnoi.ioffe.ru |
| 2002 |
И. П. Ипатова,
В. А. Щукин,
В. Г. Малышкин,
И. С. Тарасов,
Н. А. Берт
Распад полупроводниковых твердых растворов shchukin@ton.ioffe.rssi.ru |
| 2003 |
О. В. Клявин,
Б. А. Мамырин,
Л. В. Хабарин,
Ю. М. Чернов
Явление дислокационно-динамической диффузии klyavin@mail.ioffe.ru |
| 2004 |
Н. С. Аверкиев, В. А. Березовец, В. Н. Богомолов,
И. И. Фарбштейн, А. Л. Шеланков
Двумерные дырочные носители заряда на поверхности теллура. (Электронный спектр, гальваномагнитные свойства и эффект слабой локализации в условиях особой роли тау-симметрии) Averkiev@les.ioffe.ru |
| 2005 |
M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, A. N. Titkov, R. V. Parfeniev
Гетеропереходы II типа на основе полупроводников A3B5 (система GaSb-InAs): создание, физические свойства и применение в опотоэлектронике mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru |