ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Кагадей В.А., Нефедцев Е.В. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения	433

Электронные и оптические свойства полупроводников
Мамедов А.А. Влияние дефектности структуры кристаллов gamma -La_2(1-x)Nd_2xS₃ на их спектроскопические свойства	440
Мездрогина М.М., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В., Полетаев Н.К., Трапезникова И.Н., Чукичев М.В., Бордовский Г.А., Марченко А.В., Еременко М.В. Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO	445
Шкляев А.А., Латышев А.В., Ичикава М. Фотолюминесценция в области длин волн 1.5 $-$ 1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов	452
Морозова Н.К., Данилевич Н.Д. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиций теории непересекающихся зон	458
Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В., Насибов А.С., Шапкин П.В. Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe	463

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н., Шеремет В.Н. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых *gamma* -облучению ⁶⁰Co	467
Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю. Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd_xHg_1-xTe	476
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Солдатенков Ф.Ю. Механизм протекания тока в омическом контакте к $n$ - $4H$ -SiC	482

Низкоразмерные системы
Дьяков С.А., Жигунов Д.М., Тимошенко В.Ю. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния	486
Агринская Н.В., Козуб В.И., Полоскин Д.С. О смешанной проводимости, включающей квазиметаллическую проводимость по примесной зоне, в легированных полупроводниковых структурах	491
Король А.Н., Носенко И.В. Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки	497
Антонова И.В., Скуратов В.А., Jedrzejewski J., Balberg I. Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO₂: структурные, оптические, электронные свойства	501
Покутний С.И. Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках	507

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Казанский А.Г., Теруков Е.И., Форш П.А., Kleider J.P. Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой	513

Физика полупроводниковых приборов
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Афанасьев А.М. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик $-$ полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn	517
Булушева М.А., Попов В.Д., Протопопов Г.А., Скородумова А.В. Физическая модель процесса старения МОП-структуры	527

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Романюк Б.Н., Мельник В.П., Попов В.Г., Хацевич И.М., Оберемок А.С. Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур	533
Дроздов Ю.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В. Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe	538
Качурин Г.А., Черкова С.Г., Скуратов В.А., Марин Д.В., Черков А.Г. Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO₂ при облучении быстрыми тяжелыми ионами	544
Шамин С.Н., Галахов В.Р., Аксенова В.И., Карпов А.Н., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Антонова И.В., Ежевская Т.Б., Jedrzejewski J., Savir E., Balberg I. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO₂ и Si	550
Фоминский В.Ю., Романов Р.И., Гнедовец А.Г., Зуев В.В., Демин М.В. Влияние энергетических параметров осаждаемого лазерно-инициированного потока атомов платины на характеристики тонкопленочной структуры Pt/ $n$ - $6H$ -SiC	556
Вирт И.С., Шкумбатюк Т.П., Курило И.В., Рудый И.О., Лопатинский И.Е., Линник Л.Ф., Тетеркин В.В., Федоров А.Г. Осаждение тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ методом импульсной лазерной абляции	564