ФТП, 2010, том 44, выпуск 2ФТП, 2010, том 44, выпуск 2| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Велиханов А.Р. Электропластичность чистого и легированного кремния | 145 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В., Насибов А.С., Шапкин П.В. Получение и оптические свойства кристаллов ZnSe : Ni | 149 |
| Камилов И.К., Степуренко А.А., Гумметов А.Э. Неустойчивость тока продольного автосолитона в -InSb в продольном магнитном поле | 154 |
| Пагава Т.А., Майсурадзе Н.И. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах -Si | 160 |
| Кытин В.Г., Кульбачинский В.А., Глебов Д.С., Бурова Л.И., Кауль А.Р., Реукова О.В. Электропроводность и магнитные свойства тонких пленок оксида цинка, легированного кобальтом | 164 |
| Давыдов В.Ю., Клочихин А.А., Смирнов А.Н., Страшкова И.Ю., Крылов А.С., Lu Hai, Schaff William J., Lee H.-M., Hong Y.-L., Gwo S. Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN | 170 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Литвин О.С. Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)--(слоистый полупроводник) Ni/-GaSe | 180 |
| Низкоразмерные системы | |
| Середин П.В., Глотов А.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С., Журбина И.А. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) | 194 |
| Маслов А.Ю., Прошина О.В. Роль интерфейсных фононов при формировании поляронных состояний в квантовых ямах | 200 |
| Терентьев Я.В., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Семенов А.Н., Соловьев В.А., Седова И.В., Усикова А.А., Иванов С.В. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb | 205 |
| Кипа М.С., Алексеев П.С., Яссиевич И.Н. Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии | 210 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Индутный И.З., Михайловская Е.В., Шепелявый П.Е., Данько В.А. Видимая фотолюминесценция селективно травленных пористых -Si-SiO-структур | 218 |
| Никитенко В.Р., Тамеев А.Р., Ванников А.В. Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков | 223 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Сергеев В.А., Ходаков А.М. Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов | 230 |
| Tsai Jung-Hui, Lour Wen-Shiung, Weng Tzu-Yen, Li Chien-Ming InGaP/InGaAs Doped-Channel Direct-Coupled Field-Effect Transistors Logic with Low Supply Voltage | 235 |
| Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Ракова Е.П., Тимошина Н.Х., Андреев В.М. Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов InGaAs с изовалентным легированием | 240 |
| Винокуров Д.А., Васильева В.В., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом | 246 |
| Винокуров Д.А., Коняев В.П., Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петрунов А.Н., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Слипченко С.О., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии | 251 |
| Аверкиев Н.С., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе | 256 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Лотин А.А., Новодворский О.А., Хайдуков Е.В., Рочева В.В., Храмова О.Д., Панченко В.Я., Венцель К., Трумпайска Н., Щербачев К.Д. Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgZnO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения | 260 |
| Ратников В.В., Кютт Р.Н., Иванов С.В., Щеглов М.П., Baar A. Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире | 265 |
| Хвостиков В.П., Сорокина С.В, Потапович Н.С., Хвостикова О.А., Малевская А.В., Власов А.С., Шварц М.З., Тимошина Н.Х., Андреев В.М. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия | 270 |
| Астахова А.П., Головин А.С., Ильинская Н.Д., Калинина К.В., Кижаев С.С., Серебренникова О.Ю., Стоянов Н.Д., Horvath Zs.J., Яковлев Ю.П. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ( мкм) | 278 |
| Персоналии | |
| Памяти Бориса Андреевича Волкова | 285 |