ФТП, 2009, том 43, выпуск 12ФТП, 2009, том 43, выпуск 12| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения | 1585 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Немов С.А., Тарантасов Г.Л., Прошин В.И., Житинская М.К., Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В. Тензор НернстаЭттингсгаузена в монокристалле SbTe | 1629 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Сужеделис А., Школьник А.С., Михрин С.С., Михрин В.С. Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами | 1634 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Савельев А.В., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Жуков А.Е. Температурная и токовая зависимости ширины спектра генерации в лазерах на квантовых точках | 1641 |
| Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Рябоштан Ю.А., Мармалюк А.А., Тарасов И.С. Мощные диодные лазеры ( мкм) на основе асимметричных кванто во-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP | 1646 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Калтаев Х.Ш-о., Сидельникова Н.С., Нижанковский С.В., Данько А.Я., Ром М.А., Матейченко П.В., Добротворская М.В., Будников А.Т. Получение текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира | 1650 |
| Середин П.В., Глотов А.В., Домашевскя Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания | 1654 |
| Неведомский В.Н., Берт Н.А., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии | 1662 |
| Именной указатель | 1667 |
| Предметный указатель | 1702 |