ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Исмаилов Д.И., Керимова Н.К. Образование фаз в пленках системы Ag $-$ In $-$ Se	1153
Ромака В.А., Hlil E.K., Сколоздра Я.В., Rogl P., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Горынь А.М. Особенности механизмов генерации и \glqq залечивания\grqq структурных дефектов в сильно легированном интерметаллическом полупроводнике $n$ -ZrNiSn	1157

Электронные и оптические свойства полупроводников
Ромака В.А., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Доминюк Т.И., Ромака Л.П., Rogl P., Горынь А.М. Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике $n$ -TiNiSn, сильно легированном примесью Co	1165
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa₂S₄, MnIn₂S₄ и MnGaInS₄	1172
Велиев Р.Г., Садыхов Р.З., Керимова Э.М., Асадов Ю.Г., Джаббаров А.И. Влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в слоистых полупроводниковых ферромагнетиках TlCrS₂, TlCrSe₂	1175
Боднарь И.В., Ильчук Г.А., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М. Электрические свойства монокристаллов In₂Se₃ и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In₂Se₃	1179
Алиев С.А., Зульфигаров Э.И., Селим-Заде Р.И., Агаев З.Ф. Влияние магнитного поля на эффект увлечения электронов фононами в $n$ -Cd_xHg_1-xTe	1183
Брудный В.Н. Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II $-$ IV $-$ V₂	1187
Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин А.А. Электронный спектр и рассеяние носителей тока в $PbTe< Na+ Te>$	1195

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Аминев Д.Ф., Багаев В.С., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Кривобок В.С., Ральченко В.Г., Савельев А.В. Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза	1199
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A^IIIB^V	1204
Шамирзаев С.Х., Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А.Г. Вихревые токи, возникающие на $p-n$ -переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле	1210

Низкоразмерные системы
Петров П.В., Иванов Ю.Л., Аверкиев Н.С. Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs	1214
Пожела Ю., Пожела К., Рагуотис Р., Юцене В. Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях	1217
Семина М.А., Сергеев Р.А., Сурис Р.А. Простейшие электронно-дырочные комплексы, локализованные на продольных флуктуациях квантовых проволок	1222

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Бордовский Г.А., Теруков Е.И., Анисимова Н.И., Марченко А.В., Серегин П.П. Локальная структура стеклообразных сплавов германий $-$ сера, германий $-$ селен и германий $-$ теллур	1232

Физика полупроводниковых приборов
Горбатюк А.В., Серков Ф.Б. Механизмы формирования $N-S$ -перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках $p-i-n$ -диода	1237
Верховцева А.В., Гергель В.А. Эффективность генерации однофотонных токовых импульсов в гейгеровском режиме работы кремниевых лавинных фотодиодов	1244
Иванов П.А., Грехов И.В., Потапов А.С., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П., Коньков О.И. Экспериментальные диоды Шоттки $-$ ( $p-n$ ) (JBS-диоды) на основе $4H$ -SiC	1249
Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Исследование туннельных диодов GaAs : Si/GaAs : C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии	1253

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Бут А.В., Мигаль В.П., Фомин А.С. Фотоэлектрические сигнатуры кристаллов CdZnTe	1257
Середин П.В., Домашевская Э.П., Руднева Вал.Е., Руднева В.Е., Гордиенко Н.Н., Глотов А.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур Ga_xIn_1-xP/GaAs(100)	1261
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Тимофеева М.А. Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов	1267
Путято М.А., Болховитянов Ю.Б., Василенко А.П., Гутаковский А.К. Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода	1275
Конников С.Г., Гуткин А.А., Заморянская М.В., Попова Т.Б., Ситникова А.А., Шахмин А.А., Яговкина М.А. Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями	1280
Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Трегубова А.С., Фадеев А.Ю. Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа $4H$	1288