ФТП, 2009, том 43, выпуск 7ФТП, 2009, том 43, выпуск 7| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Давыдов С.Ю. Об адсорбции атомов натрия на грани (111) германия | 865 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Никитина А.Г., Зуев В.В. Выявление особенностей локализации электронов на -центрах в полупроводниках методом термостимулированных токов | 869 |
| Маслов А.Ю., Прошина О.В. Влияние спектра элементарных возбуждений на спинодальный распад полупроводниковых твердых растворов | 873 |
| Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф., Один И.Н. Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием | 878 |
| Смирнов М.С., Овчинников О.В., Латышев А.Н., Смирнова А.М., Новиков П.В., Ефимова М.А. Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl | 884 |
| Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Осипова М.А., Ушакова Т.Н. Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства | 890 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин П.М., Миленин В.В., Саченко А.В. Диоды с барьером Шоттки AuTiB--SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах | 897 |
| Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Шеремет В.Н., Свешников Ю.Н. Радиационные эффекты в многослойных омических контактах AuTiAlTi-GaN | 904 |
| Красильникова Л.В., Степихова М.В., Байдакова Н.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Оптически активные центры в гетероструктурах Si/SiGe : Er, связанные с ионами Er | 909 |
| Александров О.В., Козловский В.В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов | 917 |
| Набиев Г.А. Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения и фотонапряжения | 924 |
| Набиев Г.А. О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe | 926 |
| Низкоразмерные системы | |
| Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И., Мушенок Ф.Б., Казакова О.Л. Спин-орбитальное взаимодействие носителей заряда с примесями в ориентированных нанопроволоках GeMe (Me = Mn, Cr, Co, Fe) | 928 |
| Смирнов А.М., Осепцова В.А., Платонов А.В., Гуревич А.С., Кочерешко В.П., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Петров В.В., Долгих Ю.К., Ефимов Ю.П., Елисеев С.А. Анизотропия спиновой релаксации электронов, вызванная конкуренцией механизмов Рашбы и Дрессельхауза | 933 |
| Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Надточий А.М., Дубровский В.Г., Букин М.А., Петров В.А., Бусов В.В., Трошков С.И. Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения | 938 |
| Козырев С.П. ИК-спектроскопия решеточных колебаний и сравнительный анализ сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe | 943 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Ременюк А.Д., Звонарева Т.К., Захарова И.Б., Толмачев В.А., Беляков Л.В., Перова Т.С. Исследование оптических свойств аморфного углерода, модифицированного платиной | 947 |
| Воронков Э.Н., Козюхин С.А. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях | 953 |
| Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Росликов В.Е., Кан В.Е., Пономарева И.В., Несов С.Н. Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния | 957 |
| Демидов Е.С., Добычин Н.А., Карзанов В.В., Марычев М.О., Сдобняков В.В. Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом | 961 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Верховцева А.В., Гергель В.А. Динамика локального микропробоя в гейгеровском режиме работы лавинных фотодиодов | 966 |
| Tsai Jung-Hui, Chiu Shao-Yen, Lour Wen-Shiung, Guo Der-Feng High-performance InGaP/GaAs -doped heterojunction bipolar transistor | 971 |
| Калыгина В.М., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Твердотельные преобразователи изображения на основе структур GaAs/ZnS | 975 |
| Ионычев В.К., Ребров А.Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов | 980 |
| Васильев П.В., Любутин С.К., Пономарев А.В., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н., Чолах С.О. Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока | 985 |
| Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Численное моделирование процесса субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых диодах | 989 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Михайловский Г.А., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ | 996 |
| Сенников П.Г., Голубев С.В., Шашкин В.И., Пряхин Д.А., Дроздов М.Н., Андреев Б.А., Дроздов Ю.Н., Кузнецов А.С., Поль Х.-Й. Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния | 1002 |