ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Карасев П.А., Азаров А.Ю., Титов А.И., Кучеев С.О. Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN	721
Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Алибеков А.Г., Маренкин С.Ф., Бабушкин А.Н. Фазовые превращения в полупроводниках A^IIB^V при высоком давлении	730
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Тошходжаев Х.А. Структура пленок твердых растворов селенотеллуридов кадмия, выращенных методом теплового экрана при резко неравновесных условиях	735
Астров Ю.А., Козлов В.А., Лодыгин А.Н., Порцель Л.М., Шуман В.Б., Gurevich E.L., Hergenroder R. Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором	739

Электронные и оптические свойства полупроводников
Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции	745
Пагава Т.А., Майсурадзе Н.И. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах $n$ -Si	750
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В. Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB₂	755
Попович В.Д., Potera P., Вирт И.С., Билык М.Ф. Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe	759
Басалаев Ю.М., Кособуцкий А.В., Поплавной А.С. Особенности электронных и колебательных свойств кристаллов A^IB^VX^V₂	764
Фукс Б.И. Использование теории переходных процессов в высокоомных полупроводниках для определения структуры холодной Вселенной	769
Олих О.Я. Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых $p-n$ -структурах в условиях акустического нагружения	774

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Калыгина В.М., Грицык В.Ю. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd $-$ SiO₂-Si	780
Лебедев А.А., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Зубрилов А.С., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Середова Н.В., Смирнов А.Н., Трегубова А.С. Исследование слоев $3C$ -SiC, выращенных на подложках $15R$ -SiC	785
Клочихин А.А., Страшкова И.Ю. Квантовое решение задачи аккумуляционного слоя $n$ -InN	789
Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И. Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход $n$ -ZnO/ $p$ -CuO	794

Низкоразмерные системы
Александров И.А., Журавлев К.С., Мансуров В.Г. Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN	797

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Борковская Л.В., Корсунская Н.Е., Крыштаб Т.Г., Гермаш Л.П., Печерская Е.Ю., Остапенко С., Чернокур А. Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe $-$ ZnS	804

Физика полупроводниковых приборов
Русских Д.В., Рембеза С.И. Релаксация оптически стимулированного электросопротивления тонких пленок SnO₂	811
Орлов М.Л., Панин А.Н., Орлов Л.К. Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми транзисторами с коротким двумерным каналом	816
Еремин В.К., Вербицкая Е.М., Ильяшенко И.Н., Еремин И.В., Сафонова Н.Н., Тубольцев Ю.В., Егоров Н.Н., Голубков С.А., Коньков К.А. Межсегментное сопротивление в кремниевых позиционно-чувствительных приемниках излучений на основе $p-n$ -переходов	825
Бобренко Ю.Н., Павелец С.Ю., Павелец А.М. Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS	830
Сизов В.С., Гуткин А.А., Сахаров А.В., Лундин В.В., Брунков П.Н., Цацульников А.Ф. Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN	836
Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Михайловский Г.А., Черкашин Н.А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е.В., Лобанова А.В., Цацульников А.Ф. Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(Al)GaN для светодиодов зеленого диапазона	841
Вольфсон А.А. Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6 $H$	847

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Корнилов В.М., Лачинов А.Н., Логинов Б.А., Беспалов В.А. Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si $-$ SiO₂: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности	850
Дмитриев С.Г. Связь между измеряемыми токами и зарядами в образце при диагностике неоднородных диэлектрических пленок	854
Сердобинцев А.А., Веселов А.Г., Кирясова О.А., Портнов С.А., Браташов Д.Н. Импульсное напыление в низкотемпературной плазме тонких пленок с наноразмерной периодичностью свойств	859