ФТП, 2009, том 43, выпуск 5ФТП, 2009, том 43, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Торхов Н.А., Божков В.Г. Фрактальный характер распределения неоднородностей потенциала поверхности -GaAs(100) | 577 |
|---|---|
| Александров О.В., Калинина Е.В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига | 584 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Борщ Н.А., Переславцева Н.С., Курганский С.И. Электронная структура Zn-замещенных германиевых клатратов | 590 |
| Поклонский Н.А., Гусаков Г.А., Баев В.Г., Лапчук Н.М. Оптические и парамагнитные свойства облученных электронами и отожженных кристаллов синтетического алмаза | 595 |
| Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Говорков А.В., Кожухова Е.А., Kim H.S., Norton D.P., Pearton S.J., Белогорохов А.И. Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO | 604 |
| Бут А.В., Мигаль В.П., Фомин А.С. Спектры фототока твердых растворов CdZnTe в параметрическом виде и их дискретное вейвлет-разложение | 608 |
| Левин М.Н., Татаринцев А.В., Ахкубеков А.Э. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по -кривой | 613 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Заяц Н.С., Генцарь П.А., Бойко В.Г., Литвин О.С., Вуйчик Н.В., Стронский А.В., Янчук И.Б. Оптические свойства пленок GaN/AlO, легированных кремнием | 617 |
| Самсоненко С.Н., Самсоненко Н.Д. Дислокационная электрическая проводимость синтетических алмазных пленок | 621 |
| Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Кузнецов Ю.Ю. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире | 627 |
| Махний В.П., Бойко Ю.Н., Скрипник Н.В. Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью | 630 |
| Конин А. Нелинейная термоэдс в биполярных полупроводниковых образцах | 632 |
| Стафеев В.И. Структура и свойства контактов CdHgTeметалл | 636 |
| Потапов А.С., Иванов П.А., Самсонова Т.П. Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к -SiC | 640 |
| Низкоразмерные системы | |
| Кузнецова И.А., Юшканов А.А., Хадчукаев Р.Р. Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре | 645 |
| Сур И.В. Термоэлектрические свойства симметричных и асимметричных структур с двойными квантовыми ямами | 651 |
| Маркосов М.С., Сейсян Р.П. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах AlGaAs | 656 |
| Терентьев Я.В., Люблинская О.Г., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Семенов А.Н., Соловьев В.А., Иванов С.В. Аномальное спиновое расщепление электронов в квантовых точках II типа InSb в матрице InAs | 662 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Давиденко Н.А., Скрышевский В.А., Ищенко А.А., Карлаш А.Ю., Мокринская Е.В. Фотопроводимость пленок органического полимера с добавками наночастиц пористого кремния и ионных полиметиновых красителей | 667 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П. Токопрохождение и потенциальная эффективность (КПД) солнечных элементов на основе -переходов из GaAs и GaSb | 671 |
| Орлов М.Л., Орлов Л.К. Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном транзисторе InGaAs/InAlAs | 679 |
| Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Черняков А.Е., Шленский А.А. Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb | 689 |
| Андреев В.М., Сорокина С.В., Тимошина Н.Х., Хвостиков В.П., Шварц М.З. Солнечные элементы на основе антимонида галлия | 695 |
| Сощин Н.П., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Широков С.С., Юнович А.Э. Светодиоды \glqq теплого\grqq белого свечения на основе -гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов | 700 |
| Ждан А.Г., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла | 705 |
| Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Паюсов А.С., Максимов М.В., Михрин С.С., Лифшиц М.Б., Щукин В.А., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0.2 нм/К) | 708 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Семенов А.В., Пузиков В.М., Голубова Е.П., Баумер В.Н., Добротворская М.В. Низкотемпературное получение пленок карбида кремния различных политипов | 714 |