ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Электронные и оптические свойства полупроводников
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрические свойства диарсенида цинка $-$ олова (ZnSnAs₂), облученного ионами H⁺	433
Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т. Вольт-амперная характеристика $p-n$ -структур на основе непрерывного твердого раствора (Si₂)_1-x(CdS)_x	436
Новодворский О.А., Горбатенко Л.С., Панченко В.Я., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Венцель К., Барта Й.В., Бублик В.Т., Щербачев К.Д. Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием	439

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В., Ушакова Т.Н. Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In₂S₃	445
Курилюк В.В., Коротченков О.А. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs	449
Шеховцов Н.А. Зависимость емкости германиевых $p$ ⁺-p-переходов от тока в области температур 290 $-$ 330 K	456
Булярский С.В., Рудь Ю.В., Вострецова Л.Н., Кагарманов А.С., Трифонов О.А. Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением	460

Низкоразмерные системы
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Кожанова Ю.В., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В. Механизмы легирования и интенсивность излучения внутрицентровых $f$ \kern -1pt-f-переходов легирующей примеси Eu в структурах с квантовыми ямами In_xGa_1-xN/GaN	467
Мокеров В.Г., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пожела Ю., Пожела К., Сужеделис А., Юцене В., Пашкевич Ч. Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях	478
Герчиков Л.Г., Мамаев Ю.А., Яшин Ю.П., Васильев Д.А., Кузьмичев В.В., Устинов В.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин В.С. Резонансное усиление эмиссии поляризованных электронов	483
Грузинцев А.Н., Емельченко Г.А., Редькин А.Н., Волков В.Т., Якимов Е.Е., Висимберга (G. Visimberga)^{\kern 1pt+}, Д., Романов С.Г. Визуализация связанных фотонных мод наностержней ZnO при помощи растровой катодолюминесценции	488
Кузнецов Г.Ф. Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа In_xGa_1-xAs/GaAs/... /(001)GaAs, наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии при компьютерном управлении процессом изготовления	493
Мавринский А.В., Байтингер Е.М. Термоэлектродвижущая сила углеродных нанотрубок	501

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Давиденко Н.А., Дехтяренко С.В., Кокозей В.Н., Козинец А.В., Семенака В.В., Скрышевский В.А., Третяк О.В. Особенности электропроводимости и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы M(II)/Cr(III)	507

Физика полупроводниковых приборов
Соболев М.М., Гаджиев И.М., Бакшаев И.О., Михрин В.С., Неведомский В.Н., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Поглощение в лазерных структурах со связанными и несвязанными квантовыми точками в электрическом поле при комнатной температуре	512
Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов	517
Кабанов В.В., Лебедок Е.В., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Щемелев М.А., Шерстнев В.В., Астахова А.П., Яковлев Ю.П. Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP	522
Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П., Потапов А.С. Высоковольтные (1800 В) планарные $p-n$ -переходы на основе $4H$ -SiC с плавающими охранными кольцами	527
Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., Черняков А.Е. Светоизлучающая диодная линейка (*lambda* =3.7 мкм) на основе InGaAsSb	531
Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М., Паюсов А.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Михрин С.С., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шварц М.З. Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs	537
Андреев А.Ю., Зорина С.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., А.А. , Мурашова А.В., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Телегин К.Ю., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs	543
Рабинович О.И., Сушков В.П. Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN	548
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Teppe F., Knap W. Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом	552
Алуев А.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Фетисова Н.В., Чельный А.А., Шамахов В.В., Симаков В.А., Тарасов И.С. GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии	556
Мокеров В.Г., Кузнецов А.Л., Федоров Ю.В., Енюшкина Е.Н., Бугаев А.С., Павлов А.Ю., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Галиев Р.Р., Овчаренко Е.Н., Свешников Ю.Н., Цацульников А.Ф., Устинов В.М. AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности $f$ _{\qopname mmax} до 100 ГГц	561

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Бакалейников Л.А., Домрачева Я.В., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Попова Т.Б., Флегонтова Е.Ю. Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда	568