ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Электронные и оптические свойства полупроводников
Грузинцев А.Н. Обращение волнового фронта при мощном импульсном оптическом возбуждении ZnO	289
Мельник В.А., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Макаренко Ф.В. Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью	294
Ромака В.А., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Ромака Л.П., Горынь А.М., Гореленко Ю.К., Доминюк Т.И. Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника $n$ -ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe	297
Komissarova T.A., Shubina T.V., Jmerik V.N., Ivanov S.V., Ryabova L.I., Khokhlov D.R., Vasson A., Leymarie J., Araki T., Nanishi Y. Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions	304
Алтыбаев Г.С., Кумеков С.Е., Махмудов А.А. Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света	308
Майорова Т.Л., Клюев В.Г. Рекомбинационные процессы в пиролитических пленках сульфида кадмия	311
Скипетров Е.П., Михеев М.Г., Пакпур Ф.А., Скипетрова Л.А., Пичугин Н.А., Слынько Е.И., Слынько В.Е. Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb_1-x-yGe_xCr_yTe	316
Улашкевич Ю.В., Каминский В.В., Голубков А.В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности	324
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Голод С.В. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции	329
Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Дроздов Ю.Н., Яблонский А.Н., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д., Werner P. Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре	332

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Лебедев А.А., Абрамов П.Л., Агринская Н.В., Козуб В.И., Кузнецов А.Н., Лебедев С.П., Оганесян Г.А., Трегубова А.С., Черняев А.В., Шамшур Д.В., Скворцова М.О. Переход металл $-$ изолятор в эпитаксиальных пленках $n$ - $3C$ -SiC	337

Низкоразмерные системы
Козырев С.П. ИК-спектроскопия решеточных колебаний сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe	342
Кульчин Ю.Н., Дзюба В.П., Щербаков А.В. Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах	349
Ткач Н.В., Сети Ю.А. Спектр и свойства сечения рассеяния электронов в открытых сферических квантовых точках	357

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Овчинников О.В., Смирнов М.С., Косякова Е.А., Латышев А.Н., Клюев В.Г., Евлев А.Б., Утехин А.Н., Асеева Д.В. Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов Zn_0.75Cd_0.25S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода	364
Бордовский Г.А., Немов С.А., Анисимова Н.И., Дземидко И.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As $-$ S и As $-$ Se	369
Костишко Б.М., Золотов А.В., Нагорнов Ю.С. Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле	372
Александрова Е.Л., Светличный В.М., Мягкова Л.А., Некрасова Т.Н., Тамеев А.Р., Ванников А.В., Кудрявцев В.В. Фото- и электрофизические свойства растворимых полифенилхинолинов, содержащих кислородную или фениламинную группу	376
Кастро Р.А., Бордовский В.А., Анисимова Н.И., Грабко Г.И. Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge_0.285Pb_0.15S_0.565	382

Физика полупроводниковых приборов
Акопян А.А., Бахронов Х.Н., Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Едгорова Д.М., Каримов А.В., Конакова Р.В., Мамонтова И.Б. Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных $p-n$ -переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs	385
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В., Горбачев Д.В., Ушакова Т.Н. Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn_2n+1Se_3n+2 ( $n=3-6$ )	391
Исмайлов Н.Д. Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе Cd_xHg_1-xTe	396
Морозов М.Ю., Морозов Ю.А., Попов В.В. Влияние отражений волны оптической накачки на возбуждение активной области двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором	399
Корюкин И.В. Динамика многомодового полупроводникового лазера с оптической обратной связью	405
Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Черняков А.Е. Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (*lambda* _{cut off}=4.5 мкм)	412

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Вольфсон А.А., Мохов Е.Н. Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации	418
Бобровникова И.А., Ивонин И.В., Новиков В.А., Преображенский В.В. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия	422

Персоналии
Юрий Викторович Горелкинский	429