ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Емельянова О.С., Стрельченко С.С., Усачева М.П. Спинодальный распад твердых растворов ZnO $-$ BeO	145

Электронные и оптические свойства полупроводников
Мустафаев Н.Б., Багиева Г.З., Ахмедова Г.А., Агаев З.Ф., Абдинов Д.Ш. Неоднородность электрических свойств монокристаллов PbTe в направлении роста	149
Шапошников В.Л., Мигас Д.Б., Борисенко В.Е., Дорожкин Н.Н. Особенности зонной структуры полупроводниковых моносилицидов железа, рутения и осмия	152
Абдуллаев Н.А., Кахраманов С.Ш., Керимова Т.Г., Мустафаева К.М., Немов С.А. Анизотропия проводимости в легированных монокристаллах Bi₂Te₃	156
Велиев Р.Г., Садыхов Р.З., Керимова Э.М., Асадов Ю.Г., Джаббаров А.И. Магнитные и электрические свойства слоистых магнетиков Tl(Cr, Mn, Co)Se₂	163
Васильев Р.Б., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Гаськов А.М. Проводимость ультрадисперсной керамики SnO₂ в сильных электрических полях	167
Маляревич Г.К., Гапоненко Н.В., Мудрый А.В., Дроздов Ю.Н., Степихова М.В., Степанова Е.А. Фотолюминесценция ионов Tb³⁺ в ксерогелях алюмоиттриевых гранатов	170
Морозова Н.К., Мидерос Д.А., Данилевич Н.Д. Поглощение, спектры возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания кристаллов ZnS(O) $-$ ZnSe(O) в модели непересекающихся зон	174
Даунов М.И., Камилов И.К., Габибов С.Ф. О природе \flqq тяжелых\frqq электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe $p$ -типа	180

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Музафарова С.А., Мирсагатов Ш.А., Джамалов Ф.Н. Влияние *gamma* -облучения на механизм переноса тока в гетероструктурах $n$ -CdS/ $p$ -CdTe	187
Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев $n$ -типа проводимости на сильно легированных бором подложках	193
Иванов П.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/ $4H$ -SiC	197
Панахов М.М., Агасиев А.А., Сармасов С.Н. Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки	201
Стахира П.Й., Черпак В.В., Волинюк Д.Ю. Свойства гетероперехода на основе пентацена и производных перилена	204

Низкоразмерные системы
Грузинцев А.Н., Емельченко Г.А., Масалов В.М., Якимов Е.Е., Бартхоу К., Barthou C., Мэтр А., Maitre A. Люминесценция квантовых точек CdSe/ZnS, инфильтрованных в опаловую матрицу	209
Перов А.А., Солнышкова Л.В. Магнитопоглощение электромагнитного излучения двумерным электронным газом со спин-орбитальным взаимодействием Рашбы в гетеропереходе с поверхностной сверхрешеткой	214
Звонков Б.Н., Бирюков А.А., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Дубинов А.А., Маремьянин К.В., Морозов С.В. Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере	220
Зайцев С.В., Яковлев Д.Р., Вааг А. Перенормировка запрещенной зоны в сильно фотовозбужденных структурах типа II ZnSe/BeTe	224
Головань Л.А., Заботнов С.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Учет динамической деполяризации в модели эффективной среды для описания оптических свойств анизотропных наноструктурированных полупроводников	230
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Курицын Д.И., Морозов С.В., Спирин К.Е., Kawaguchi Y., Komiyama S. Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла	235
Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И., Ноздрин Ю.Н. Транспорт в сверхрешетках GaAs/Al_xGa_1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами: эффекты межминизонного туннелирования	240
Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И., Ноздрин Ю.Н. Транспорт в сверхрешетках GaAs/Al_xGa_1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами: низкочастотная отрицательная дифференциальная проводимость и токовые осцилляции	248
Кузнецов Г.Ф. Наименьшее число пар слоев, необходимое для проявления сателлитной структуры при рентгеновской дифракции на сверхрешетках. Измерения и расчет упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток	257
Добровольский А.А., Комиссарова Т.А., Дашевский З.М., Касиян В.А., Акимов Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe(In) в переменном электрическом поле	265
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Ремнев М.А. Нелинейный отклик двухъямной наноструктуры с учетом межэлектронного взаимодействия	269

Физика полупроводниковых приборов
Саченко А.В., Соколовский И.О. Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами	274

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Бойцов А.В., Берт Н.А., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и *delta* -легированном фосфором	278