ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Хабибуллин И.Х., Матухин В.Л., Ермаков В.Л., Гнездилов О.И., Корзун Б.В., Шмидт Е.В. Исследование полупроводникового соединения CuInS₂ методами ядерного магнитного резонанса ⁶³Cu и ¹¹⁵In	3
Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Теруков Е.И. Исследование влияния аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка	7

Электронные и оптические свойства полупроводников
Ромака В.А., Fruchart D., Ромака В.В., Hlil E.K., Стаднык Ю.В., Гореленко Ю.К., Аксельруд Л.Г. Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника ZrNiSn. Акцепторная примесь Dy	11
Цагарейшвили О.А., Чхартишвили Л.С., Габуния Д.Л. Кажущаяся низкочастотная зарядовая емкость полупроводникового бора	18
Рогозин И.В. Структурные и люминесцентные свойства пленок ZnO : P, полученных отжигом подложек ZnP₂ в атомарном кислороде	26
Болотов В.В., Кан В.Е. Инфракрасная люминесценция в термообработанном кремнии	31

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Мелебаев Д., Мелебаева Г.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni $-n$ -GaAs	34
Торхов Н.А., Божков В.Г., Ивонин И.В., Новиков В.А. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального $n$ -GaAs в локальном пределе	38
Харламов Ф.В., Харламов В.Ф. Прохождение горячих электронов через межфазную границу металл $-$ полупроводник	48
Шамирзаев С.Х., Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А.Г. Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик $p-n$ -переходов в сильном сверхвысокочастотном поле	53
Тысченко И.Е., Фельсков М., Черков А.Г., Попов В.П. Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса	58
Агекян В.Ф., Серов А.Ю., Степанов Ю.А., Философов Н.Г., Бембитов Д.Б., Karczewski G. Излучательная рекомбинация в матрице CdMgTe с ультратонкими узкозонными слоями CdMnTe	64

Низкоразмерные системы
Акчурин Р.Х., Андреев А.Ю., Берлинер Л.Б., Говорков О.И., Дураев В.П., Малджы А.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Сабитов Д.Р., Сухарев А.В. Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии	70
Парахонский А.Л., Лебедев М.В., Кирпичев В.Е., Кукушкин И.В. Гистерезис гигантских флуктуаций интенсивности излучения двумерных электронов в режиме целочисленного квантового эффекта Холла	76
Баграев Н.Т., Гимбицкая О.Н., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Шелых И.А., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Квантовый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия	82
Баграев Н.Т., Гимбицкая О.Н., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Шелых И.А., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия	85

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Тимохов Д.Ф., Тимохов Ф.П. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления	95
Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Давлеткильдеев Н.А., Кривозубов О.В., Пономарева И.В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния	100
Гончарова О.В., Гременок В.Ф. Микроструктура и оптические свойства пленок In₂S₃, полученных термическим испарением	104
Шадрин Е.Б., Курдюков Д.А., Ильинский А.В., Голубев В.Г. Проводимость композита опал $-$ VO₂ при фазовом переходе полупроводник $-$ металл	110

Физика полупроводниковых приборов
Климова А.В., Лукашин В.М., Пашковский А.Б. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей	113
Слипченко С.О., Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Николаев Д.Н., Фетисова Н.В., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур	119
Аверкиев Н.С., Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Ильинская Н.Д., Калинина К.В., Кижаев С.С., Кислякова А.Ю., Монахов А.М., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Дисковые WGM-лазеры (lambda =3.0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме	124

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Кагадей В.А., Нефедцев Е.В. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs	128

Персоналии
*Виталий Иванович Стафеев ( к 80-летию со дня рождения* )**	136