ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Музафарова С.А., Айтбаев Б.У., Мирсагатов Ш.А., Дуршимбетов К., Жанабергенов Ж. Исследование промежуточного слоя на гетерогранице $n$ ⁺-CdS/ $p$ -CdTe	1409

Электронные и оптические свойства полупроводников
Алиев С.А., Агаев З.Ф., Селим-заде Р.И. Энергетический спектр носителей заряда в Ag₂Te	1415
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами)	1420
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. Субтерагерцовые автоколебания в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs	1426

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Романов В.В., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Разъединенный гетеропереход II-типа GaSb_1-xAs_x/InAs ( $x<0.15$ ): эволюция зонной энергетической диаграммы тройного твердого раствора	1434
Санкин В.И., Шкребий П.П. Гигантский всплеск ударной ионизации в $p-n$ -переходе политипа $6H$ -SiC	1439
Поцяск М., Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe $n$ -типа проводимости, модифицированных ионным травлением	1444
Гуткин А.А., Рудинский М.Э., Брунков П.Н., Клочихин А.А., Давыдов В.Ю., Chen H.-Y., Gwo S. Поверхностные состояния на границе раздела $n$ -InN--электролит	1448

Низкоразмерные системы
Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Шубина Т.В., Сахаров А.В., Ситникова А.А., Копьев П.С., Иванов С.В., Луценко Е.В., Данильчик А.В., Ржеуцкий Н.В., Яблонский Г.П. Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота	1452
Семина М.А., Сергеев Р.А., Сурис Р.А. Энергия связи экситона и $X$ ⁺-, $X$ ^--трионов в одномерных системах	1459

Физика полупроводниковых приборов
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Лебедев А.А. К вопросу радиационной стойкости SiC при чередовании стадий облучения и отжига	1466
Зверев М.М., Гамов Н.А., Жданова Е.В., Перегудов Д.В., Студенов В.Б., Седова И.В., Гронин С.В., Сорокин С.В., Иванов С.В., Копьев П.С. Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур A^IIB^VI	1472

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Улин В.П., Дубровский В.Г. Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии	1478
Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. Рост слитков карбида кремния политипа $4H$ на затравках с плоскостью $(10$ \overline(1)0)	1483
Именной указатель	1488
Предметный указатель	1513