ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Гурский А.Л., Рябцев Г.И. Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN	1281
Сибирев Н.В., Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения	1286

Электронные и оптические свойства полупроводников
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Кривобок В.С., Мартовицкий В.П., Николаев С.Н. Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого $p$ -ZnTe	1291
Алиев Ф.Ф., Джафаров М.Б. Энергетический спектр носителей заряда в $Ag$ ₂ Te	1297
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И. Электронный парамагнитный резонанс взаимодействующих спинов в $n$ -Ge II. Изменение ширины и формы линий	1301
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Гришин В.В. Электрические и гальваномагнитные свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях	1309

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Парфенюк О.А., Илащук М.И., Ульяницкий К.С. Образование омических контактов к низкоомному Cd_1-xMg_xTe для фотовольтаических применений	1314
Давыдов С.Ю., Трошин А.В. Роль спонтанной поляризации в формировании структур $NH$ -SiC/ $3C$ -SiC/ $NH$ -SiC на основе политипов карбида кремния	1318
Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н., Маслюк В.Т. Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ	1321
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии	1327
Сутурин С.М., Банщиков А.Г., Соколов Н.С., Тягинов С.Э., Векслер М.И. Статические вольт-амперные характеристики туннельных МДП структур Au/CaF₂/ $n$ -Si(111)	1333
Шашкин В.И., Востоков Н.В. Решение задачи инжекции носителей тока в изолирующий слой при самосогласованных граничных условиях на контактах	1339
Бессолов В.Н., Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Поссе Е.А. Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-- $n$ -GaN от концентрации основных носителей заряда	1345

Низкоразмерные системы
Решина И.И., Иванов С.В. Магнитооптика одиночной квантовой ямы CdMnSe/CdMgSe	1348

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Бордовский Г.А., Марченко А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П., Лиходеева Т.В. Свойства и структура стекол $( As$ ₂ Se₃)_1-z ( SnSe₂)_z-x( Tl₂ Se)_x и $( As$ ₂ Se₃)_1-z( SnSe)_z-x( Tl₂ Se)_x	1353
Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Лебедев В.М. Влияние электрического поля при получении пленок $a$ -SiO_x : H $< Er,O>$ методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия	1357
Андреев А.А. Особенности световых вольт-амперных характеристик $p-i-n$ -структур на аморфном кремнии при туннельно-дрейфовом механизме переноса темнового тока	1363
Александрова Е.Л., Иванов А.Г., Геллер Н.М., Надеждина Л.Б., Шаманин В.В. Светочувствительные свойства металлосодержащих полидисалицилиденазометинов	1367

Физика полупроводниковых приборов
Леликов Ю.С., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Мартынов И.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г. Измерение коэффициента поглощения света, распространяющегося латерально в светодиодных структурах с квантовыми ямами In_0.2Ga_0.8N/GaN	1371
Емельянов А.М. Краевая электролюминесценция эффективного точечного кремниевого светодиода в области температур $80-300$ K	1375
Боброва Е.А., Омельяновская Н.М. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле	1380
Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Ребане Ю.Т., Белов А.С., Шретер Ю.Г. Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока	1384
Кашерининов П.Г., Томасов А.А. Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи и обработки изображений	1391

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Александров О.В., Дусь А.И. Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции	1400