ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Ахмедов Г.М. Фазообразование и фазовые превращения в нанотолщинных пленках системы Bi $-$ \kern -1ptTe	1025

Электронные и оптические свойства полупроводников
Никонюк Е.С., Захарук З.И., Кучма М.И., Шляховый В.Л., Раренко А.И., Юрийчук И.Н. Релаксационные процессы в проводимости кристаллов Cd_1-xMn_xTe ( $0.02)$	1028
Цыпленков В.В., Демидов Е.В., Ковалевский К.А., Шастин В.Н. Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов	1032
Морозова Н.К., Мидерос Д.А., Галстян В.Г., Гаврищук Е.М. Особенности спектров люминесценции кристаллов ZnS(O) и ZnS· Cu(O) с позиций теории непересекающихся зон	1039
Боднарь И.В. Исследование монокристаллов тройного соединения CuIn₃Se₅	1046
Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода $n$ -GaAs $-p$ -Ge	1050
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Налет Т.А. Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке и стимулированном излучении в GaAs	1053

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Макара В.А., Васильев М.А., Стебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко С.Н. Вызванные действием магнитного поля изменения примесного состава и микротвердости приповерхностных слоев кристаллов кремния	1061
Лебедев М.В. Адсорбция метилтиола на поверхности GaAs(100)- $(2x 4)$ : квантово-химический анализ из первых принципов	1065
Середин П.В., Домашевская Э.П., Лукин А.Н., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs	1072
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия	1079
Домашевская Э.П., Гордиенко Н.Н., Румянцева Н.А., Середин П.В., Агапов Б.Л., Битюцкая Л.А., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Тарасов И.С. Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y/ GaInP/GaAs(001)	1086

Низкоразмерные системы
Новиков Б.В., Зегря Г.Г., Пелещак Р.М., Данькив О.О., Гайсин В.А., Талалаев В.Г., Штром И.В., Цырлин Г.Э. Барические свойства квантовых точек InAs	1094
Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Широков С.С., Имамов Р.М., Субботин И.А. Электрофизические и структурные свойства двусторонне *delta* -легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs	1102
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Бартхоу (C. Barthou)^{\kern 1pt} К.* Краевая люминесценция наностержней ZnO при оптическом возбуждении большой мощности	1110
Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А., Сипрова С.В., Марычев М.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si, формирующихся в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа	1116
Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Конников С.Г. Эмиссия электронов из многослойных ансамблей вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице $n$ -GaAs	1122
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Королев К., Meinning C., McCombe B. Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа $n$ -GaInAsSb/ $p$ -InAs	1126

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Иванов-Омский В.И., Звонарева Т.К., Фролова Г.С. Колебательная спектроскопия аморфного углерода, модифицированого Pt	1131

Физика полупроводниковых приборов
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Лебедев А.А. Особенности использования широкозонных полуизолирующих материалов в задачах регистрации ядерного излучения	1135

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Король В.М., Веденяпин С.А., Заставной А.В., Ovchinnikov V. Диффузия имплантированного натрия в кислородном кремнии	1140
Качурин Г.А., Черкова С.Г., Марин Д.В., Гутаковский А.К., Черков А.Г., Володин В.А. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния	1145

Персоналии
Памяти Людмилы Германовны Лаврентьевой	1150