ФТП, 2008, том 42, выпуск 6ФТП, 2008, том 42, выпуск 6| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия | 641 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Ефанов А.В. О волновых функциях горячих экситонов в полупроводниках с вырожденными зонами | 658 |
| Варавин В.С., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием | 664 |
| Сидоров Г.Ю., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Икусов Д.Г., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии | 668 |
| Воронько А.Н. Электронные характеристики однократно ионизированной пары доноров фосфора в кремнии и операции с зарядовыми кубитами | 672 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Особенности долговременной релаксации емкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного ZnP -типа проводимости | 679 |
| Попова Т.Б., Бакалейников Л.А., Заморянская М.В., Флегонтова Е.Ю. Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло | 686 |
| Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении | 692 |
| Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н., Шеремет В.Н. О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки | 706 |
| Низкоразмерные системы | |
| Карпунин В.В., Маргулис В.А. Гибридно-фононные резонансы в квантовом канале | 711 |
| Багаев Е.А, Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Щеглов Д.В. Изменение оптических свойств нанокластеров CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, при пассивации в аммиаке | 718 |
| Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В., Sartel С., Harmand J.-C. Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии | 726 |
| Савельев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Сейсян Р.П., Зегря Г.Г. Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками | 730 |
| Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Леденцов Н.Н. Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN | 736 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Гуляев А.М., Ван Ле Ван, Сарач О.Б., Мухина О.Б. О воздействии оптического излучения на чувствительность газовых сенсоров на основе пленок SnO | 742 |
| Карпов А.Н., Марин Д.В., Володин В.А., Jedrzejewski J., Качурин Г.А., Savir E., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш., Goldstein Y., Balberg I. Формирование SiO-слоев при плазменном распылении Si- и SiO-мишеней | 747 |
| Воробьев Л.Е., Зерова В.Л., Борщев К.С., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Belenky G. Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах спонтанного и стимулированного излучения | 753 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Астрова Е.В., Нечитайлов А.А. Электрохимическое травление макропор в кремнии с щелевыми затравками | 762 |