ФТП, 2008, том 42, выпуск 5ФТП, 2008, том 42, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Авачева Т.Г., Бодягин Н.В., Вихров С.П., Мурсалов С.М. Исследование самоорганизации неупорядоченных материалов с применением теории информации | 513 |
|---|---|
| Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Тошходжаев Х.А. Сравнительный анализ механизмов формирования межфазной границы пленочной структуры в равновесных и резко неравновесных условиях | 519 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Булатецкая Л.В., Божко В.В., Давидюк Г.Е., Парасюк О.В. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCdGaS | 522 |
| Косяченко Л.А., Герман И.И., Раренко И.М., Захарук З.И., Никонюк Е.С. Примесная проводимость монокристаллов HgInTe | 528 |
| Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Мохтари А.Г., Дадашова В.В., Агаева А.А. Электролюминесценция и фототриггерный эффект в монокристаллах твердых растворов | 532 |
| Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия, полученного неравновесной реакцией прямого синтеза компонентов | 536 |
| Макаренко Ф.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Мельник В.А. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью | 542 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Божков В.Г., Торхов Н.А., Ивонин И.В., Новиков В.А. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии | 546 |
| Зайцев С.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И., Яковлев Д.Р., Вааг А. Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe | 555 |
| Низкоразмерные системы | |
| Лисовский И.П., Злобин С.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. Инфракрасные спектры пропускания фотолюминесцентных пленок оксидов с Si-, Ge-квантовыми точками, сформированных импульсным лазерным осаждением | 560 |
| Данилов Л.В., Зегря Г.Г. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах | 566 |
| Данилов Л.В., Зегря Г.Г. Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb | 573 |
| Юрасов Д.В., Дроздов Ю.Н. Критическая толщина перехода по Странскому--Крастанову с учетом эффекта сегрегации | 579 |
| Елесин В.Ф., Катеев И.Ю. Высокочастотные свойства двухъямных наноструктур | 586 |
| Лисовский И.П., Индутный И.З., Муравская М.В., Войтович В.В., Гуле Е.Г., Шепелявый П.Е. Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым -облучением | 591 |
| Разжувалов А.Н., Гриняев С.Н. Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах -GaN/AlGaN(0001) | 595 |
| Белевский П.А., Винославский М.Н., Порошин В.Н., Строганова И.В. О природе затухающих колебаний тока при образовании статического акустоэлектрического домена в гетероструктурах -InGaAs/GaAs с квантовыми ямами | 604 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Гаджиев Э.Ш., Мададзаде А.И. Электронографическое исследование параметров ближнего порядка в аморфных пленках YbSmAsS | 608 |
| Галашев А.Е. Термическая неустойчивость фуллеренов кремния, стабилизируемых водородом. Компьютерный эксперимент | 611 |
| Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Жигунов Д.М., Подешво И.В., Никитин С.Е., Форш П.А., Кудрявцев В.В., Якиманский А.В. Собственная люминесценция Tb в металл-полимерных комплексах полиамидокислот | 618 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Бекин Н.А., Шастин В.Н. Каскадный лазер на мелких донорах в -легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs | 622 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Шубина Т.В., Плотников Д.С., Заморянская М.В., Яговкина М.А., Домрачева Я.В., Ситникова А.А., Иванов С.В. Особенности пространственного распределения In в эпитаксиальных слоях InGaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией | 630 |