ФТП, 2008, том 42, выпуск 3ФТП, 2008, том 42, выпуск 3| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Кузнецов В.П., Алябина Н.А., Боженкин В.А., Белова О.В., Кузнецов М.В. О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии | 257 |
|---|---|
| Александров О.В., Козловский В.В. Моделирование приповерхностной протонно-стимулированной диффузии бора в кремнии | 262 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б. Электрические свойства слоистых монокристаллов FeInSe на переменном токе | 268 |
| Кирюхин А.Д., Григорьев В.В., Зуев А.В., Зуев В.В. Особенности проявления акцепторного состояния золота в кремнии с термодонорами | 271 |
| Вострикова Ю.В., Клюев В.Г. Влияние примеси йода на релаксацию фотовозбужденного хлорида серебра | 277 |
| Зобов Е.М., Зобов М.Е., Габибов Ф.С., Камилов И.К., Маняхин Ф.И., Наими Е.К. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe | 282 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Байдуллаева А., Велещук В.П., Власенко А.И., Даулетмуратов Б.К., Ляшенко О.В., Мозоль П.Е. Влияние процесса плавления на акустический отклик соединений CdTe и GaAs при импульсном лазерном облучении | 286 |
| Низкоразмерные системы | |
| Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Яблонский А.Н. Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001) | 291 |
| Школьник А.С., Савельев А.В., Карачинский Л.Я., Гордеев Н.Ю., Сейсян Р.П., Зегря Г.Г., Pellegrini S., Buller G.S., Евтихиев В.П. Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек | 296 |
| Дроздов М.Н., Востоков Н.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Шашкин В.И. Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs | 303 |
| Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Захаров Н.Д. Эффект Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si | 311 |
| Аверкиев Н.С., Саблина Н.И. Оптическая ориентация дырок в деформированных наноструктурах | 316 |
| Аверкиев Н.С., Иванов Ю.Л., Красивичев А.А., Петров П.В., Саблина Н.И., Седов В.Е. Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы GaAs/ | 322 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Белогорохов И.А., Рябчиков Ю.В., Тихонов Е.В., Пушкарев В.Е., Бреусова М.О., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Фотолюминесценция полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных фталоцианинов эрбия | 327 |
| Звонарева Т.К., Ситникова А.А., Фролова Г.С., Иванов-Омский В.И. Нанокластеры платины, инкапсулированные в аморфный углерод | 331 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Емельянов А.М., Соболев Н.А. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции | 336 |
| Гаман В.И., Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М. Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода | 341 |
| Орлов М.Л. Механизмы выпрямления высокочастотного сигнала полевым гетеротранзистором с коротким каналом | 346 |
| Tsai Jung-Hui, Liu Wen-Chau, Guo Der-Feng, Kang Yu-Chi, Chiu Shao-Yen, Lour Wen-Shiung Electrical properties of InP/InGaAs heterostructure--emitter bipolar transistor | 353 |
| Безотосный В.В., Васильева В.В., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Крохин О.Н., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мурашова А.В., Налет Т.А., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Попов Ю.М., Слипченко С.О., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом | 357 |
| Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В. Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP | 361 |
| Грузинцев А.Н., Бартхоу К., Беналул П. Люминесцентные свойства светодиодов на основе арсенида галлия с антистоксовым люминофором YOS : Er,Yb | 365 |
| Иванов А.М., Строкан Н.Б., Козловский В.В., Лебедев А.А. Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений | 370 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Хлудков С.С. Влияние состояния вакансионного равновесия на процесс диффузии примеси хрома в арсениде галлия | 378 |