ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Ахмедов Г.М. Фазовый состав пленок системы Bi--S и формирование Bi₂S₃ с различной субструктурой	129

Электронные и оптические свойства полупроводников
Морозова Н.К., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Галстян В.Г. Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe с позиций теории непересекающихся зон	131
Белова О.В., Шабанов В.Н., Касаткин А.П., Кузнецов О.А., Яблонский А.Н., Кузнецов М.В., Кузнецов В.П., Корнаухов А.В., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии	136
Никитина А.Г., Зуев В.В. Бистабильные амфотерные центры в полупроводнике	141
Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок Pb_1-xSn_xTe $< In>$ в области собственного поглощения	147
Боднарь И.В. Оптические свойства твердых растворов AgGa_xIn_1-xSe₂	153
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В. Пространственное распределение дефектов и кинетика неравновесных носителей заряда в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm и дополнительно введенной примесью Zn	157
Крутоголов Ю.К. Ионизация в электрическом поле $DX$ -центра, связанного с серой, в In_1-xGa_xP	171

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Бабенко А.А., Варавин В.С., Икусов Д.Г., Смирнов Р.Н. Стимулированное излучение гетероструктур на основе Cd_xHg_1-xTe при комнатной температуре в условиях оптической накачки	177

Низкоразмерные системы
Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.В., Deutschmann M. Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры	181
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN	187

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Казанский А.Г., Кошелев О.Г., Сазонов А.Ю., Хомич А.А. Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния	192
Заяц Н.С., Бойко В.Г., Генцарь П.А., Литвин О.С., Папуша В.П., Сопинский Н.В. Оптические исследования пленок AlN/ $n$ -Si (100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления	195
Левшин Н.Л., Пронин Н.Н., Форш П.А., Юдин С.Г. Исследование проводимости сверхтонких пленок бифталоцианина олова	199
Ефремов М.Д., Володин В.А., Марин Д.В., Аржанникова С.А., Камаев Г.Н., Кочубей С.А., Попов А.А. Вариация края поглощения света в пленках SiN_x с кластерами кремния	202
Бурдиян И.И., Косюк В.В., Пынзарь Р.А. Некоторые аспекты подбора примесей, улучшающих фотоэлектрические характеристики халькогенидных стеклообразных полупроводников	208

Физика полупроводниковых приборов
Грехов И.В., Иванов П.А., Ильинская Н.Д., Коньков О.И., Потапов А.С., Самсонова Т.П. Высоковольтные (900 В) $4H$ -SiC диоды Шоттки с охранным $p-n$ -переходом, изготовленным имплантацией бора	211
Французов А.А., Бояркина Н.И., Попов В.П. Снижение подвижности электронов в канале металл $-$ окисел $-$ полупроводник транзистора при уменьшении длины затвора	215
Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Фрейдлин А.С. Влияние оже-рекомбинации на тепловую стабильность мощных высоковольтных полупроводниковых диодов	220
Астахова А.П., Безъязычная Т.В., Буров Л.И., Горбацевич А.С., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Щемелев М.А., Яковлев Ю.П. Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры	228

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф. Влияние водорода на анизотропию скорости роста $p$ -GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков	233
Вилисова М.Д., Другова Е.П., Пономарев И.В., Чубирко В.А. Диффузия хрома в эпитаксиальный арсенид галлия	239
Козловский В.В., Емцев В.В., Емцев К.В., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Ломасов В.Н., Оганесян Г.А., Лебедев А.А. Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации $4H$	243