ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Обзоры
Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава	3

Электронные и оптические свойства полупроводников
Кюрегян А.С. Линейная стадия эволюции электронно-дырочных лавин в полупроводниках	23
Мудрый А.В., Иванюкович А.В., Якушев М.В., Мартин Р., Саад А. Оптическая спектроскопия свободных экситонов в халькопиритном полупроводниковом соединении CuInS₂	31
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs₂	36

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ханефт А.В., Поплавной А.С., Сечкарев Б.А., Сотникова Л.В. Зависимость изгиба зон на границе микроконтакта AgBr $-$ AgI от формы и размера гетерогенной системы	40
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Расщепление пика натрия на динамических вольт-амперных характеристиках конвективных ионных токов структур металл--окисел--полупроводник	45
Антонова И.В., Поляков В.И., Руковишников А.И., Мансуров В.Г., Журавлев К.С. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN	53
Харламов В.Ф., Костин А.В., Кубышкина М.В., Харламов Ф.В. Эмиссия горячих электронов, возбужденных в ходе каталитической реакции, из металла в полупроводник	60

Низкоразмерные системы
Берашевич Ю.А., Панфиленок А.С., Борисенко В.Е. Каналы излучательной рекомбинации в Si/Si_1-xGe_x-наноструктурах	68
Семенов А.Н., Люблинская О.Г., Соловьев В.А., Мельцер Б.Я., Иванов С.В. $In situ$ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs(Sb)	75

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Снарский А.А., Женировский М.И., Безсуднов И.В. О предельных значениях добротности термоэлектрических композитов	82

Физика полупроводниковых приборов
Калинина Е.В., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Ситникова А.А., Садохин А.В., Азаров А.Ю., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе $4H$ -SiC ионно-легированных $p$ ⁺-n-переходов	87
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Черняев М.В. Восстановление профиля потенциала в изолирующем слое по вольт-амперным характеристикам туннельных МДП диодов	94
Молдавская Л.Д., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Шашкин В.И. Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников	101
Лютецкий А.В., Борщев К.С., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (*lambda* =1.0-1.9 мкм)	106
Викулин И.М., Курмашев Ш.Д., Стафеев В.И. Инжекционные фотоприемники	113