ФТП, 2007, том 41, выпуск 6ФТП, 2007, том 41, выпуск 6| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Давыдов С.Ю., Лебедев А.А. Кинетика вакансий в процессе гетерополитипной эпитаксии SiC | 641 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Петухов Б.В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках | 645 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Пагава Т.А. Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах -Si | 651 |
| Давиденко Н.А., Кокозей В.Н., Ищенко А.А., Безнищенко А.А., Маханькова В.Г., Спицына Н.Г., Лобач А.С., Давиденко И.И., Попенака А.Н. Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерный Cu (II)Mn (II) комплекс, в присутствии ионных полиметиновых красителей | 654 |
| Горкавенко Т.В., Зубкова С.М., Русина Л.Н. Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита. Нитриды галлия и алюминия | 661 |
| Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов -CdTe | 670 |
| Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Horikoshi Y., Onomitsu K. Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg | 674 |
| Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Павлов В.В., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Оптические свойства монокристаллов ZnTe, легированных кобальтом | 679 |
| Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Дмитриев А.В., Shklover V. Фотопроводимость твердого раствора PbSnTe(In) в переменном электрическом поле | 683 |
| Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И., Абросимов Н.В. Проявление в электронном парамагнитном резонансе эффекта кластеризации атомов Ge в сплавах SiGe ( | 687 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Саченко А.В., Соколовский И.О. О влиянии сужения запрещенной зоны на поверхностные рекомбинационные процессы в кремнии | 694 |
| Аргунова Т.С., Белякова Е.И., Грехов И.В., Забродский А.Г., Костина Л.С., Сорокин Л.М., Шмидт Н.М., Yi J.M., Jung J.W., Je J.H., Абросимов Н.В. Структурные и электрические свойства гетеропереходов GeSiSi, полученных методом прямого сращивания | 700 |
| Ященок А.М., Горин Д.А., Панкин К.Е., Ломова М.В., Штыков С.Н., Климов Б.Н., Курочкина Г.И., Грачев М.К. Коэффициент переноса пленок Ленгмюра--Блоджетт как индикатор поверхности монокристаллического кремния, модифицированной полиионными слоями | 706 |
| Комарь В.К., Пузиков В.М., Чугай О.Н., Наливайко Д.П., Сулима С.В., Абашин С.Л. Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия--цинка | 711 |
| Давыдов С.Ю. Об электронном сродстве политипов карбида кремния | 718 |
| Мордкович В.Н., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М. Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур | 721 |
| Низкоразмерные системы | |
| Завьялов Д.В., Крючков С.В., Кухарь Е.И. Воздействие сильного электрического поля на радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке | 726 |
| Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Маковей З.И., Якимов Е.Е., Бартхоу К., Barthou C. Случайная лазерная генерация вертикальных наностержней ZnO | 730 |
| Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Маковей З.И., Якимов Е.Е., Бартхоу К., Barthou C., Беналул П., Benalloul P. Зависимость интенсивности лазерной генерации вертикальных наностержней ZnO от поляризации оптического возбуждения | 735 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Ванюшин И.В., Гергель В.А., Гонтарь В.М., Зимогляд В.А., Тишин Ю.И., Холоднов В.А., Щелева И.М. Дискретная модель развития и релаксации локального микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодах в режиме Гейгера | 741 |
| Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В. Цветовые возможности люминофоров ZnS(CuCl,Ga) в зависимости от очередности легирования CuCl и галлием | 746 |
| Лантратов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии | 751 |
| Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П. Действие повреждающих облучений на фотовольтаические и туннельные -переходы из GaAs и GaSb | 756 |
| Кюрегян А.С. К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках | 761 |