ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Обзоры
Иванов-Омский В.И., Матвеев Б.А. Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе	257

Электронные и оптические свойства полупроводников
Кирюхин А.Д., Григорьев В.В., Зуев А.В., Зуев В.В., Королев Н.А. Форма сигналов нестационарной фотопроводимости в кремнии, легированном золотом или серой	269
Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R. Исследование толстых эпитаксиальных слоев $3C$ -SiC, полученных методом сублимации на подложках $6H$ -SiC	273
Венгер Е.Ф., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Зонный спектр и двойной фазовый переход проводимости металл--диэлектрик--металл в упругонапряженном бесщелевом Cd_xHg_1-xTe	276
Конин А. Влияние искривления энергетических зон на термоэдс в биполярных полупроводниках	282
Камилов И.К., Степуренко А.А., Гумметов А.Э., Ковалев А.С. Движение продольного автосолитона в $p$ -InSb в поперечном магнитном поле	286
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Квадратичная рекомбинация в кремнии и ее влияние на объемное время жизни	290
Соболев Н.А., Бер Б.Я., Емельянов А.М., Коварский А.П., Шек Е.И. Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом	295

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Верменичев Б.М., Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И., Токмолдин С.Ж. Электрофизические свойства гетероструктур $n -ZnO/p -CuO$	298
Тысченко И.Е., Фельсков М., Черков А.Г., Попов В.П. Поведение германия, имплантированного в SiO₂ вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе	301
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Трошин А.В. Роль спонтанной поляризации в формировании гетеропереходов на основе политипов карбида кремния	307
Драпак С.И., Ковалюк З.Д. Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe	312

Низкоразмерные системы
Кадушкин В.И. Особенности спектров Фурье осцилляций магнитосопротивления сильно легированной гетероструктуры	318
Гергель В.А., Зеленый А.П., Якупов М.Н. Исследование эффекта бистабильности токовых характеристик наноразмерных многослойных сильно легированных гетероструктур методами математического моделирования	325
Зубков В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами In_xGa_1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции	331
Кадушкин В.И., Садофьев Ю.Г., Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.-H. Резонансная модуляция магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия в квантовой яме AlSb(*delta* -Te)/InAs/AlSb(*delta* -Te)	338

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Сибатов Р.Т., Учайкин В.В. Дробно-дифференциальная кинетика переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках	346
Чистохин И.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С. Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения	352

Физика полупроводниковых приборов
Кажукаускас В., Ясюленис Р., Календра В., Вайткус Ю. Воздействие облучения протонами больших энергий на $4H$ -SiC-детекторы	356
Bayhan H., Ozden S. Measurement and comparison of complex impedance of silicon $p-i-n$ photodiodes at different temperatures	364
Гуляев Ю.В., Ждан А.Г., Чучева Г.В. Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла	368
Аверкиев Н.С., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs	372

Персоналии
*Александр Леонидович Асеев ( к 60-летию со дня рождения* )**	376