ФТП, 2007, том 41, выпуск 1ФТП, 2007, том 41, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Каминский В.В., Лугуев С.М., Омаров З.М., Шаренкова Н.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н., Соловьев С.М. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS | 3 |
|---|---|
| Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PF средних энергий | 7 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs | 13 |
| Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Термополевой эффект Френкеля в слоистых монокристаллах MnGaInS | 17 |
| Рыбаков Ф.Н., Мелких А.В., Повзнер А.А. Сжатие токопроводящей области в собственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом | 20 |
| Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово | 23 |
| Боднарь И.В. Оптические свойства монокристаллов CuInSe | 27 |
| Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере -Si : B) | 31 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Васильев В.В., Машуков Ю.П. Вольт-фарадные характеристики структур на основе -CdHgTe с широкозонным варизонным слоем на поверхности | 38 |
| Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu(Al, In)-CuInSe | 44 |
| Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Барьеры Шоттки на основе пленок -InS, полученных лазерным испарением | 48 |
| Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. Фотоэлектрические свойства структур In/InSe | 53 |
| Орлов Л.К., Ивин С.В. Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев SiGe из гидридов в вакууме | 56 |
| Низкоразмерные системы | |
| Хачатрян А.Ж., Седракян Д.М., Бадалян В.Д., Хоецян В.А. Эффективная генерация второй гармоники в структуре с двойными квантовыми ямами | 67 |
| Стрельчук В.В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Валах М.Я., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100) | 74 |
| Еняшин А.Н., Ивановский А.Л. Атомные дефекты стенок и электронное строение нанотрубок дисульфида молибдена | 82 |
| Бочкарева Н.И., Тархин Д.В., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Шретер Ю.Г. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN | 88 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М. Возможности использования твердого раствора CdHgTe в солнечных элементах | 95 |
| Наумова О.В., Ильницкий М.А., Сафронов Л.Н., Попов В.П. КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами | 104 |
| Равич Ю.И., Гордиенко А.Н. Метод расчета времени переходного процесса многоступенчатой охлаждающей термобатареи | 112 |
| Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц | 117 |