ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка	1025

Электронные и оптические свойства полупроводников
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe	1028
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu и дополнительно введенной примесью Zn	1033
Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров	1042
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Проводимость твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(In) в переменном электрическом поле	1047
Генцарь П.А. Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия	1051

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/ $p$ -CuGa₃Te₅ и In/ $p$ -CuGa₅Te₈: создание и свойства	1054
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников в сильных электрических полях	1062
Веденеев А.С., Феклисов М.А. Точечные квантовые контакты в разупорядоченных Si-МОП структурах с инверсионным $p$ -каналом: нелинейное поведение системы в продольном и поперечном электрическом поле	1069
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Влияние пассивации поверхности $p$ -CdTe в (NH₄)₂S_x на вольт-амперные характеристики контактов	1074
Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. Перенос носителей заряда в структуре с кремниевыми нанокристаллами, внедренными в оксидную матрицу	1079
Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора	1082
Кладько В.П., Чорненький С.В., Наумов А.В., Комаров А.В., Tacano M., Свешников Ю.Н., Витусевич С.А., Беляев А.Е. Cтруктурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире	1087
Генцарь П.А., Власенко А.И. Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения	1094

Низкоразмерные системы
Петров П.В., Иванов Ю.Л., Романов К.С., Тонких А.А., Аверкиев Н.С. Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная с $A(+)$ -центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs	1099
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов	1103
Ткач Н.В., Сети Ю.А. Свойства электронного спектра в двухъямной закрытой сферической квантовой точке и его эволюция при изменении толщины внешней ямы	1111

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Корнева И.П., Синявский Н.Я., Ostafin M., Nogaj B. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников	1120

Физика полупроводниковых приборов
Калинина Е.В., Коссов В.Г., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Яфаев Р.Р., Холуянов Г.Ф. Спектрометрические свойства SiC-детекторов на основе ионно-легированных $p$ ⁺-n-переходов	1123
Крыжановская Н.В., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками	1128
Булярский С.В., Жуков А.В., Светухина О.С., Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов	1133
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO₂/ $p$ -Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика	1137
Малышев С.А., Чиж А.Л., Василевский Ю.Г. Двумерное моделирование $p-i-n$ -фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP	1144