ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP	641
Назыров Д.Э. Диффузия тербия в кремнии	650
Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Численное моделирование динамики фазовых переходов в CdTe, инициируемых наносекундным излучением эксимерного лазера	652

Электронные и оптические свойства полупроводников
Покропивный В.В., Бекенев В.Л. Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора --- гипералмазного B₁₂N₁₂ и простых кубических B₂₄N₂₄, B₁₂N₁₂ фулборенитов	656
Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в $p$ -CdHgTe	663
Фочук П.М., Парфенюк О.А., Панчук О.Э. Электрические характеристики монокристаллов CdTe $<$ Pb $>$ при высоких температурах	667
Каминский В.В., Казанин М.М., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В., Володин Н.М. Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария	672
Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Гореленко Ю.К., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников $n$ -ZrNiSn	676
Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях Pb_1-x Cd_xSe, активированных в присутствии паров йода	683

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов и дырок в тонком слое полупроводника	686

Низкоразмерные системы
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В. Магнитооптика квантовых ям с $D$ ^(-)-центрами	689
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах $w$ -GaN / AlGaN (0001)	695
Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами	701
Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния *gamma* -излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs	707

Физика полупроводниковых приборов
Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А. Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур с учетом флуктуационной и туннельной теоретических моделей	711
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления	717
Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова	724
Косяченко Л.А. Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe	730
Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti-- $n$ -GaAs	747
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Брунков П.Н., Тарасов И.С., Тонких А.А., Улин В.П., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)B_x в СВЧ диодах диапазона $75-350$ ГГц	753
Бадгутдинов М.Л., Коробов Е.В., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э., Коган Л.М., Гальчина Н.А., Рассохин И.Т., Сощин Н.П. Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе $p-n$ -гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами	758
Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рудова Н.А., Соколова З.Н., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (*lambda* =940-980 нм) на основе асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения	764