ФТП, 2006, том 40, выпуск 1ФТП, 2006, том 40, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe | 3 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Клюев В.Г., Герасименко Ю.В., Коробкина Н.И. Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра | 23 |
| Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Филонов А.Б., Шапошников В.Л., Бер Г., Шуманн И., Борисенко В.Е. Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения | 29 |
| Шеваренков Д.Н., Щуров А.Ф. Диэлектрические свойства поликристаллического ZnS | 35 |
| Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование донорных центров европия в PbS | 38 |
| Водопьянов Л.К., Кучеренко И.В., Марчелли А., Бураттини Е., Пиччинини М., Честелли Гауди М., Трибуле Р. Влияние инверсии зон на фононные спектры твердых растворов HgZnTe | 41 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана на поверхности при эпитаксиальном росте пленок кремния в вакууме | 45 |
| Власенко А.И., Власенко З.К. Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe | 52 |
| Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Физические свойства пленок SnO, обработанных некогерентным импульсным излучением | 57 |
| Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б. Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении | 61 |
| Байрамов Б.Х., Боднарь И.В., Емцев В.В., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Исследование влияния -облучения на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuInSe | 67 |
| Низкоразмерные системы | |
| Агекян В.Ф., Васильев Н.Н., Серов А.Ю., Степанов Ю.А., Тазаев У.В., Философов Н.Г., Karczewski G. Излучательная рекомбинация в структурах с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe --- экситонная и внутрицентровая люминесценция | 70 |
| Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H. Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si | 75 |
| Тарасов Г.Г., Жученко З.Я., Лисица М.П., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J., Warming T., Bimberg D., Kissel H. Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах InAs / GaAs | 82 |
| Савельев А.В., Максимов М.В., Устинов В.М., Сейсян Р.П. Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм | 88 |
| Грешнов А.А., Колесникова Э.Н., Зегря Г.Г. Точность квантования холловской проводимости в образце конечных размеров: степенной закон | 93 |
| Купчак И.М., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Характеристики экситонов и экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми точками | 98 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Васильев Р.Б., Дорофеев С.Г., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Гаськов А.М. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO с варьируемым размером кристаллитов | 108 |
| Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая -проводимость легированных бором пленок -Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде | 112 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Хрипунов Г.С. Влияние тыльного контакта на электрические свойства пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe | 117 |
| Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Шретер Ю.Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов | 122 |