ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Электронные и оптические свойства полупроводников
Соколовский Б.С., Иванов-Омский В.И., Ильчук Г.А. Электролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами	1409
Теруков Е.И., Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe	1417
Теруков И.Е., Хужакулов Э.С. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe	1420
Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В. Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света	1423

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. О влиянии поперечного квантования на электрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров	1430
Берман Л.С. Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика	1436
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергетических характеристик гетеропереходов $3C$ -SiC/ $2H$ -, $4H$ -, $6H$ - и $8H$ -SiC	1440
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии	1443
Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения	1448
Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А. Электрические свойства гетеропереходов $n$ -GaN/ $p$ -SiC	1452
Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se₂ при gamma -облучении	1455

Низкоразмерные системы
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In_0.2Ga_0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении	1459

Физика полупроводниковых приборов
Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм	1464
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов	1469
Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. Идеальный статический пробой в высоковольтных (1 кВ) диодных $p-n$ -структурах с охранными кольцами на основе $4H$ -SiC	1475

Персоналии
*Юрий Васильевич Шмарцев ( к 75-летию со дня рождения* )**	1478
*Борис Васильевич Царенков ( к 75-летию со дня рождения* )**	1480
*Юрас Пожела ( к 80-летию со дня рождения* )**	1481
Именной указатель	1482
Предметный указатель	1515