| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Иванов П.А., Левинштейн М.Е., Мнацаканов Т.Т., Palmour J.W., Agarwal A.K. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния | 897 |
|---|---|
| IV Международная конференция по аморфным и микрокристаллическим полупроводникам (57 июля 2004) | 914 |
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Быстрые экзотермические процессы в пористом кремнии | 917 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Оглуздин В.Е. Интерпретация видимой фотолюминесценции взвешенных в этаноле разновеликих наночастиц кремния | 920 |
| Лазарук С.К., Мудрый А.В., Иванюкович А.В., Лешок А.А., Унучек Д.Н., Лабунов В.А. Фотолюминесценция легированных эрбием алюмооксидных пленок со встроенными кремниевыми наночастицами | 927 |
| Поклонский Н.А., Лапчук Т.М., Горбачук Н.И., Николаенко В.А., Бачучин И.В. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением | 931 |
| Соболев В.Вал., Соболев В.В., Теруков Е.И. Спектры диэлектрической проницаемости и характеристических потерь электронов оксида цинка при 100 K | 935 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Gudovskikh A.S., Kleider J.-P., Terukov E.I. Characterization of -Si : H/-Si interface by admittance spectroscopy | 940 |
| Низкоразмерные системы | |
| Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Володин В.А., Аржанникова С.А., Качурин Г.А., Черкова С.Г., Кретинин А.В., Малютина-Бронская В.В., Марин Д.В. Кулоновское блокирование проводимости пленок SiO при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний | 945 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Вихров С.П., Бодягин Н.В., Ларина Т.Г., Мурсалов С.М. Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации | 953 |
| Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в -Si : H (B) | 960 |
| Шерченков А.А., Будагян Б.Г., Мазуров А.В. Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур -SiC : H/-Si | 964 |
| Сморгонская Э.А., Иванов-Омский В.И. Исследование углеродной структуры композитных пленок -C : HCu и -C : HCo методом рамановской спектроскопии | 970 |
| Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г. Транспорт протонов в аморфном гидрогенизированном углероде | 976 |
| Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудоярова В.Х. Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок -SiO : H, полученных магнетронным распылением на постоянном токе | 979 |
| Фекешгази И.В., Май К.В., Мателешко Н.И., Мица В.М., Боркач Е.И. Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол AsS | 986 |
| Колосов В.Ю., Веретенников Л.М., Старцева Ю.Б., Швамм К.Л. Электронно-микроскопические исследования микроструктуры поликристаллических конденсатов на основе халькогенидов: влияние состава и толщины на внутреннее искривление кристаллической решетки | 990 |
| Арсова Д., Булметис Я., Раптис К., Памукчиева В., Скордева Е. Бозонный пик в спектрах комбинационного рассеяния стекол AsS | 995 |
| Казакова Л.П., Цэндин К.Д., Тагирджанов М.А., Аверкиев Н.С. Обратимые фотоиндуцированные изменения в спектре локализованных состояний в пленках AsSe | 998 |
| \leaders \hrule \kern Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Рейзвих И.А., Романюк К.Н., Тийс С.А., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Причины устойчивости трехбислойных островков и ступеней на поверхности Si (111) | 1002 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Козюхин С.А., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов | 1012 |
| Сресели О.М., Захарова И.Б., Вуль С.П., Макарова Т.Л., Шаронова Л.В., Беляков Л.В., Горячев Д.Н. Взаимодействие фуллерена с монокристаллическим кремнием | 1017 |
| Персоналии | |
| Памяти Анатолия Робертовича Регеля ( к 90-летию со дня рождения ) | 1021 |