ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Электронные и оптические свойства полупроводников
Морозова Н.К., Каретников И.А., Голуб К.В., Данилевич Н.Д., Лисицын В.М., Олешко В.И. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS	513
Попов Б.П., Соболевский В.К., Апушкинский Е.Г., Савельев В.П. Эффекты магнитного упорядочения в сильно легированных кристаллах GaAs $<$ Fe $>$	521
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Новиков В.А. Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов	528
Сайдашев И.И., Перлин Е.Ю., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Проводимость и эффект Холла в CdF₂ : In и CdF₂ : Y	535
Каминский В.Э. Тензор проводимости и частота релаксации импульса электронов при рассеянии на ионизованной примеси в магнитном поле: метод матрицы плотности	543
Радчук Н.Б., Ушаков А.Ю. Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворах Ge_1-xSi_x	550

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках A^IIIB^V	552
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Гетеропереходы $p$ ⁺-Si-- $n$ -CdF₂	557
Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb_1-xSn_xTe $<$ In $>$	563
Косяченко Л.А., Mathew X., Мотущук В.В., Склярчук В.М. Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда в тонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe	569

Низкоразмерные системы
Морозова Е.Н., Макаровский О.Н., Волков В.А., Дубровский Ю.В., Turyanska L., Вдовин Е.Е., Patane A., Eaves L., Henini M. Резонансное туннелирование дырок в двубарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs	573
Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Тонких А.А., Сибирев Н.В., Устинов В.М., Werner P. Пороговый характер формирования наноразмерных островков в системе Ge/Si (100) в присутствии сурьмы	577
Качурин Г.А., Володин В.А., Тетельбаум Д.И., Марин Д.В., Лейер А.Ф., Гутаковский А.К., Черков А.Г., Михайлов А.Н. Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO₂ при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами	582
Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии	587

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Примаченко В.Е., Кононец Я.Ф., Булах Б.М., Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Цыркунов Ю.А. Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом	595
Васин А.В., Русавский А.В., Лысенко В.С., Назаров А.Н., Кушниренко В.И., Старик С.П., Степанов В.Г. Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок $a$ -SiC : H	602
Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников с субмикрометровыми размерами зерен	608
Коншина Е.А., Вангонен А.И. Особенности колебательных спектров алмазоподобных и полимероподобных пленок $a$ -C : H	616

Физика полупроводниковых приборов
Савинов И.С. Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика	623
Бочкарева Н.И., Zhirnov E.A., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Шретер Ю.Г. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов	627
Драпак С.И., Воробец М.О., Ковалюк З.Д. Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта $p$ -GaSe-- $n$ -InSe	633
Зегря Г.Г., Соловьев И.Ю. Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах	636

Персоналии
Борис Петрович Захарченя	641