ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Оптическое поглощение и диффузия хрома в монокристаллах ZnSe	401

Электронные и оптические свойства полупроводников
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения	405
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами ( $~ 2$ МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов	409
Филонов А.Б., Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Бер Г., Шуманн И., Суптель Д., Борисенко В.Е. Транспортные и термоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения	419
Пагава Т.А. Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах $n$ -Si	424

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотопреобразование в структурах $n$ -ZnO : Al/Pd $Pc$ / $p$ -CuIn₃Se₅	426
Гуле Е.Г., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния	430
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Получение и фотоэлектрические свойства структур $n$ -ZnO : Al\kern 0.5pt/\kern 0.5ptPd $Pc/p$ -Si	433

Низкоразмерные системы
Петров В.А., Никитин А.В. Эффекты пространственной повторяемости при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах с параболическими квантовыми ямами	436
Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н. Анизотропия эффективной массы Gamma -электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As	445
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Курбатов В.А., Яку -пов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование электропроводности селективно легированных наноразмерных слоистых структур и островковых пленок в сильных электрических полях	453
Решина И.И., Иванов С.В., Мирлин Д.Н., Седова И.В., Сорокин С.В. Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe	456
Бекин Н.А. Резонансные состояния доноров в квантовых ямах	463

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Аржанникова С.А., Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Вишняков А.В., Володин В.А. Особенности электропроводности легированных пленок alpha -Si : H с нанокристаллами кремния	472
Попов Б.П. Исследования медь-углеродных систем методом ЭПР	479
Осминкина Л.А., Воронцов А.С., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния	482

Физика полупроводниковых приборов
Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Жуков А.Е., Васильев А.П., Шуленков А.С., Чумак С.В., Никитина Е.В., Блохин С.А., Кулагина М.М., Семенова Е.С., Лившиц Д.А., Максимов М.В., Устинов В.М. Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров	487
Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN	492
Астахова А.П., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Яковлев Ю.П. Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений	497
Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Карачинский Л.Я., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Ковш А.Р., Крестников И.Л., Кожухов А.В., Михрин С.С., Леден -цов Н.Н. Влияние $p$ -легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках	502
Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зегря Г.Г. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм	507