ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Электронные и оптические свойства полупроводников
Karazhanov S.Zh., Lew Yan Voon L.C. Ab initio studies of band parameters of A^IIIB^V and A^IIB^VI zinc-blende semiconductors	177
Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения	189
Гридчин В.А., Любимский В.М. Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния $p$ -типа	192
Покровский Я.Е., Хвальковский Н.А. Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии	197

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Влияние лазерного излучения на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях	204
Гридчин В.А., Любимский В.М., Моисеев А.Г. Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния	208
Завьялов Д.В., Крючков С.В., Мещерякова Н.Е. Влияние нелинейной электромагнитной волны на плотность тока в поверхностной сверхрешетке в сильном электрическом поле	214
Гременок В.Ф., Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se₂	218
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si--SiO₂--W для Si $n$ - и $p$ -типов проводимости	222
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Тараканова Н.Г. Люминесценция lambda =6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb	230
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур $n$ -ZnO : Al/ Pb $Pc$ / $p$ -Si	234

Низкоразмерные системы
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Германенко А.В., Звонков Б.Н. Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs	237
Кадушкин В.И. Особенности межэлектронного взаимодействия в потенциальной яме сильно легированного гетероперехода Al_xGa_1-xAs(Si)/GaAs	242
Рувинский М.А., Рувинский Б.М. О влиянии флуктуаций толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки	247
Опенов Л.А., Цуканов А.В. Селективный перенос электрона между квантовыми точками под действием резонансного импульса	251
Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Белогорохов И.А., Тихомиров А.А. Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs	258
Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN	264

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Соцков В.А. Электрофизические характеристики макросистем диэлектрик--проводник, диэлектрик--полупроводник	269
Андреев А.А. О механизме инжекционных токов в светоизлучающих $p-i-n$ -структурах на основе гидрогенизированных аморфных сплавов $a$ -Si_1-xC_x : H	276

Физика полупроводниковых приборов
Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений	281
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Хлудкова Л.С. Сенсоры аммиака на основе диодов Pd-- $n$ -Si	285