ФТП, 2005, том 39, выпуск 1ФТП, 2005, том 39, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Материалы Совещания Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Дроздов Ю.Н., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Филимонов А.С., Шашкин В.И. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN | 5 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Подольский В.В. Свойства слоев GaSb : Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы | 8 |
| Данильцев В.М., Гапонова Д.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Пряхин Д.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN | 13 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S. Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs | 17 |
| Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И. Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ | 21 |
| Низкоразмерные системы | |
| Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Ускова Е.А. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции | 25 |
| Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Гапонова Д.М., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Садофьев Ю.Г., Johnson S.R., Zhang Y.-H. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами | 30 |
| Шамирзаев Т.С., Гилинский А.М., Бакаров А.К., Торопов А.И., Фигуренко С.А., Журавлев К.С. Долговременная кинетика фотолюминесценции квантовых точек InAs/AlAs в магнитном поле | 35 |
| Мурель А.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Шашкин В.И., Шмагин В.Б., Хрыкин О.И. Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs | 38 |
| Брунков П.Н., Гуткин А.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия | 41 |
| Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В., Демина П.Б., Хапугин О.Е. Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs / GaAs | 45 |
| Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Капаев В.В., Hanna S., Schmidt S., Zibik E.A., Seilmeier A. Межподзонное поглощение света в гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs | 49 |
| Антонов А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А. Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами | 53 |
| Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.D., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P. Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами | 59 |
| Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В. Расчет состояний мелких доноров в квантовых ямах в магнитном поле методом разложения по плоским волнам | 63 |
| Орлова Е.Е., Harrison P., Zheng W.-M., Halsall M.P. Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров | 67 |
| Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Иконников А.В., Садофьев Ю.Г., Bird J.P., Jonhson S.R., Zhang Y.-H. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами | 71 |
| Бекин Н.А., Жукавин Р.Х., Ковалевский К.А., Павлов С.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Шастин В.Н. Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров | 76 |
| Андрианов А.В., Новиков С.В., Журавлев И.С., Ли Т., Чаа Р., Булл С., Харрисон И., Ларкинс Е.К., Фоксон К.Т. Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированного мышьяком | 82 |
| Васильева Ю.В., Данилов Ю.А., Ершов Ант.А., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Гуденко С.В., Рыльков В.В., Грановский А.Б., Ганьшина Е.А., Перов Н.С., Виноградов А.Н. Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии | 87 |
| Востоков Н.В., Гусев С.А., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Корытин А.И., Мурель А.В., Шашкин В.И. Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs | 92 |
| Антонов А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Туловчиков В.С., Шашкин В.И. Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона мкм | 96 |
| Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н. Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точек Ge в матрице ZnSe на GaAs | 100 |
| Садофьев Ю.Г., Ramamoorthy A., Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.-H. \glqq Необычная\grqq остаточная фотопроводимость в квантовой яме InAs/AlSb | 106 |
| Сошников И.П., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е., Фомин А.В., Litvinov D., Hahn E., Gerthsen D. Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах | 112 |
| Шегай О.А., Бакаров А.К., Калагин А.К., Торопов А.И. Латеральная фотопроводимость структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми ямами и самоорганизующимися квантовыми точками при межзонной подсветке | 115 |
| Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л. Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы -InGaAs / GaAs | 118 |
| Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Красникова И.В. Генератор терагерцевого излучения, основанный на нелинейном преобразовании частоты в двойном вертикальном резонаторе | 124 |
| Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А., Мусихин Ю.Г. Локализация дырок в квантовой молекуле InAs / GaAs | 131 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A. Исследование способов получения и свойств квантовых молекул InAs в матрице GaAs | 136 |
| Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J. Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками | 140 |
| Данилов Ю.А., Бирюков А.А., Gon \c calves J.L., Swart J.W., Iikawa F., Teschke O. Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией | 145 |
| Лазарук С.К., Лешок А.А., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния | 149 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Морозов С.В., Маремьянин К.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наблюдение излучения среднего инфракрасного диапазона в полупроводниковых лазерах, генерирующих две частотные полосы в ближнем инфракрасном диапазоне | 153 |
| Popov V.V., Tsymbalov G.M., Shur M.S., Knap W. Resonant terahertz response of a slot diode with a two-dimensional electron channel | 157 |
| Романов Ю.А., Романова Ю.Ю. Блоховские колебания в сверхрешетках. Проблема терагерцового генератора | 162 |
| Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Кочаровский Вл.В. Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных лазерах InGaAs/GaAs/InGaP | 171 |