ФТП, 2004, том 38, выпуск 12ФТП, 2004, том 38, выпуск 12| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Склярчук В.М., Плевачук Ю.О. Электропроводность и термоэдс жидкого теллура с примесями переходных -металлов | 1409 |
|---|---|
| Горбатюк И.Н., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М. HgCdMnZn\kern -0.5ptTe: новая альтернатива HgCdTe | 1414 |
| Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Котков А.П., Моисеев А.Н., Гришнова Н.Д. Индуцированное и спонтанное излучение структур CdHgTe в диапазоне мкм при 77 K | 1419 |
| Коваленко В.Ф., Шутов С.В. Фотолюминесценция электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs | 1423 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур | 1426 |
| Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения | 1429 |
| Терехов В.А., Манько А.Н., Бормонтов Е.Н., Левченко В.Н., Требунских С.Ю., Тутов Е.А., Домашевская Э.П. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл--диэлектрик--полупроводник | 1435 |
| Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И. Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/SiO, созданной сращиванием, в структурах кремний-на-изоляторе | 1439 |
| Азаров А.Ю. Кинетика роста поверхностного аморфного слоя при низкотемпературном облучении кремния быстрыми тяжелыми ионами | 1445 |
| Низкоразмерные системы | |
| Боднарь И.В., Соловей Н.П., Гурин В.С., Молочко А.П. Формирование и оптические свойства наночастиц CuInSeTe в матрице силикатного стекла | 1447 |
| Зерова В.Л., Капаев В.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Schmidt S., Зибик Е.А., Seilmeier A., Towe E. Межподзонное поглощение света в селективно легированных асимметричных двойных туннельно-связанных квантовых ямах | 1455 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Иванов-Омский В.И., Колобов А.В., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Распределение по размерам нанокластеров кобальта в матрице аморфного углерода | 1463 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П. Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов | 1466 |
| Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Дубонос С.В., Князев М.А., Якимов Е.Е. Люминесцентные свойства ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы | 1473 |
| Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения | 1477 |
| Именной указатель | 1487 |
| Предметный указатель | 1515 |