ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Заводинский В.Г., Гниденко А.А., Мисюк А., Бак-Мисюк Я. Влияние давления и водорода на образование вакансий и дивакансий в кристаллическом кремнии	1281
Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж. Твердые растворы $( C$ ^IV₂)_1-x( A^III B^V)_x, полученные из ограниченного объема оловянного раствора--расплава	1285
Дунаевский М.С., Grob J.J., Забродский А.Г., Laiho R., Титков А.Н. АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO₂ с помощью селективного травления	1294
Тетельбаум Д.И., Герасимов А.И. К эффекту больших доз при ионной имплантации кремния	1301
Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б. Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов и полупроводников	1304

Электронные и оптические свойства полупроводников
Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М., Родин С.Н., Юсупова Ш.А. Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN	1308
Кучакова Т.А., Весна Г.В., Макара В.А. Влияние протонного облучения на кинетику затухания фосфоресценции керамики ZnS $-$ Cu	1316
Александрова Е.Л., Химич Н.Н. Светочувствительные свойства тонких полупроводниковых пленок нанокомпозитов на основе металлорганических комплексов Cu⁺ и Ru²⁺	1321
Александрова Е.Л., Дудкина М.М., Теньковцев А.В. Механизм фотогенерации носителей заряда в полиамидиновых супрамолекулярных структурах	1325

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Байрамов Б.Х., Ильчук Г.А., Украинец В.О., Фернелиус Н., Шунеманн П.Г. Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa₂S₄: создание и свойства	1332
Кондрат А.Б., Попович Н.И., Довгошей Н.И. Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb $-$ Si $(n)-$ Bi $-$ Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Sb	1339
Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н. Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода $p$ -Ge-- $n$ -GaAs	1343
Парчинский П.Б., Власов С.И., Насиров А.А. Влияние gamma -облучения на характеристики границы раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло	1345
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si	1349

Низкоразмерные системы
Митягин Ю.А., Мурзин В.Н., Ефимов Ю.А., Пищулин А.А., Пырков В.Н. Кинетика трансформации домена электрического поля в слабо связанных сверхрешетках в поперечном электрическом поле	1353
Ведерников А.И., Чаплик А.В. Колебательные моды и электронно-фононное взаимодействие в полупроводниковых нанотрубках	1358
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Гладышев А.Г., Сахаров А.В., Кокорев М.Ф., Шмидт Н.М., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Каканаков Р. Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений	1364
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А. Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием	1368
Божевольнов В.Б., Яфясов А.М., Коноров П.П. Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe--электролит	1374
Цуканов А.В. Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения	1382

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Константинова Е.А., Рябчиков Ю.В., Осминкина Л.А., Воронцов А.С., Кашкаров П.К. Влияние адсорбции донорных и акцепторных молекул на рекомбинационные свойства кремниевых нанокристаллов	1386

Физика полупроводниковых приборов
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я. Нелинейное преобразование частоты в лазере с двойным вертикальным резонатором	1392
Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами	1399