ФТП, 2004, том 38, выпуск 10ФТП, 2004, том 38, выпуск 10| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Александрова Е.Л. Светочувствительные полимерные полупроводники | 1153 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Гамарц А.Е., Лебедев В.М., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа | 1195 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Волкова О.С., Голубев А.В., Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Слынько В.Е. Электронные и структурные переходы в сплавах PbGeTe : Ga под давлением | 1199 |
| Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 1203 |
| Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок -CdHgTe | 1207 |
| Богданова Е.В., Козловский В.В., Румянцев Д.С., Волкова А.А., Лебедев А.А. Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов | 1211 |
| Титов А.И., Карасев П.А., Кучеев С.О. Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами | 1215 |
| Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Константинов А.О., Hallen A., Никифоров А.Ю., Скуратов В.А., Havancsak K. Оптические и электрические свойства -SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий | 1223 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuInSe | 1228 |
| Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода на электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al---Si--SnO : Cu--Ag | 1234 |
| Низкоразмерные системы | |
| Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P. О возможностях подавления формирования -кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) | 1239 |
| Максимов М.В., Сизов Д.С., Макаров А.Г., Каяндер И.Н., Асрян Л.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., Черкашин Н.А., Берт Н.А., Леденцов Н.Н., Bimberg D. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками | 1245 |
| Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И. Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах | 1251 |
| Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом | 1256 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния | 1261 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Степина Н.П., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Чайковский С.В., Володин В.А., Ефремов М.Д., Сексенбаев М.С., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Волноводные Ge / Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи | 1265 |
| Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В. Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух | 1270 |
| Александров С.Б., Баранов Д.А., Кайдаш А.П., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Степанов М.В., Чалый В.П., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А. Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы | 1275 |