ФТП, 2004, том 38, выпуск 6ФТП, 2004, том 38, выпуск 6| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Макарова Т.Л. Магнитные свойства углеродных структур | 641 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Пагава Т.А. Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах -Si | 665 |
| Шатковскис Э., Чеснис А. Длинноволновый край спектра излучения горячей электронно-дырочной плазмы в фотовозбужденном арсениде индия | 670 |
| Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е. Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света | 674 |
| Александрова Е.Л., Носова Г.И., Соловская Н.А., Ромашкова К.А., Лукьяшина В.А., Конозобко Е.В., Кудрявцев В.В. Светочувствительные полиимиды, содержащие в цепи замещенные дифенилметановые фрагменты | 678 |
| Матяш И.Е., Сердега Б.К. Анализ поляризационно-модуляционных спектров индуцированного одноосным сжатием фотоплеохроизма в кристалле Ge | 684 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанeва Е.В., Шкавро А.Г. Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-SiAl с барьером Шоттки | 690 |
| Давыдов А.Б., Аронзон Б.А. Долговременные релаксации проводимости квазидвумерных сильно разупорядоченных МДП структур | 693 |
| Атаев Б.М., Аливов Я.И., Мамедов В.В., Махмудов С.Ш., Магомедов Б.А. Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода -ZnO : Ga/-GaN : Mg/-AlO | 699 |
| Мурыгин В.И. Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого -перехода | 702 |
| Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Фомин А.В., Сизов Д.С. Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений | 705 |
| Берман Л.С., Титков И.Е. Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрикполупроводник | 710 |
| Низкоразмерные системы | |
| Зерова В.Л., Воробьев Л.Е., Зегря Г.Г. Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах | 716 |
| Талалаев В.Г., Tomm J.W., Zakharov N.D., Werner P., Новиков Б.В., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Егоров В.А., Поляков Н.К., Устинов В.М. Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs | 723 |
| Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Гальперин Ю.М., Преображенский В.В., Торопов А.И. Роль слоев AlGaAs, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/AlGaAs в режиме квантового эффекта Холла | 729 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей | 739 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора в длинноволновую в светодиодах на основе GaSb | 745 |
| Шулекин А.Ф., Тягинов С.Э., Khlil R., El Hdiy A., Векслер М.И. Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре | 753 |
| Карачинский Л.Я., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Ковш А.Р., Wang J.S., Hsiao R.S., Chi J.Y., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs | 757 |
| Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs | 763 |