ФТП, 2004, том 38, выпуск 5ФТП, 2004, том 38, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Бояркина Н.И., Смагулова С.А. Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном -Si от концентрации кислорода в кристалле | 513 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Илащук М.И., Савчук А.Й., Чупыра С.Н. Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb | 516 |
| Нифтиев Н.Н. Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS | 522 |
| Гуга К.Ю., Коллюх А.Г., Липтуга А.И., Мороженко В.А., Пипа В.И. Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника | 524 |
| Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Щербонос Л.Ф. Нелинейное поглощение света в твердых растворах ZnCdSe | 529 |
| Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н., Протасов Д.Ю. Подвижность неосновных носителей заряда в пленках -HgCdTe | 532 |
| Мудрый А.В., Ларионова Т.П., Шакин И.А., Гусаков Г.А., Дубров Г.А., Тихонов В.В. Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов | 538 |
| Грузинцев А.Н., Волков В.Т. Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO | 543 |
| Шевалеевский О.И., Цветков А.А., Ларина Л.Л., Myong S.Y., Lim K.S. Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в пленках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода | 547 |
| Нифтиев Н.Н., Алиджанов М.А., Тагиев О.Б., Мамедов Ф.М., Мурадов М.Б. Электрические свойства MnInSe | 550 |
| Степанов Н.П. Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмутсурьма | 552 |
| Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений | 556 |
| Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Стрильчук О.Н. Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия | 563 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д. Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода -InSe---GaSe в процессе \glqq старения\grqq | 566 |
| Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П. О предельной квантовой эффективности краевой электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах | 570 |
| Шашкин В.И., Мурель А.В. Теория туннельного токопереноса в контактах металл полупроводник с приповерхностным изотипным -легированием | 574 |
| Низкоразмерные системы | |
| Курганский С.И., Борщ Н.А. Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц | 580 |
| Агекян В.Ф., Степанов Ю.А., Акаи И., Карасава Т., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зейлмейер А., Шмидт С., Ханна С., Зибик Е. Люминесценция ступенчатых квантовых ям в структурах GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs | 585 |
| Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации | 593 |
| Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Устинов В.М. Вертикальный транспорт горячих электронов в сверхрешетках GaAs/AlAs | 598 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Осминкина Л.А., Курепина Е.В., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Взаимодействие инфракрасного излучения со свободными носителями заряда в мезопористом кремнии | 603 |
| Давиденко Н.А., Ищенко А.А., Костенко Л.И., Кувшинский Н.Г., Мысык Д.Д., Мысык Р.Д. Фотопроводимость полимерных композиций с высокой концентрацией органических красителей | 610 |
| Зимин С.П., Брагин А.Н. Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния с различной морфологией | 616 |
| Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением | 621 |
| Форш П.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Особенности электрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии | 626 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Кулагина М.М., Малеев Н.А., Шерняков Ю.М., Никитина Е.В., Устинов В.М. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм | 630 |
| Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Мельникова Т.М. Кинетика электролюминесценции в эффективном кремниевом светодиоде с температурно-стабильными спектральными характеристиками | 634 |