ФТП, 2004, том 38, выпуск 4ФТП, 2004, том 38, выпуск 4| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Петухов Б.В. Закономерности влияния примесей на предел текучести кристаллов кремния | 385 |
|---|---|
| Орлов А.М., Скворцов А.А., Саланов А.А. Электротранспортные процессы в монокристаллах антимонида галлия с участием расплавленных включений GaSb--Sn | 391 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Сермакашева Н.Л., Новиков Г.Ф., Шульга Ю.М., Семенов В.Н. СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений | 395 |
| Брунков П.Н., Гуткин А.А., Моисеенко А.К., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Черкашин Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия | 401 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N., Goldstein J. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в гетеропереходах ZnO / GaAs | 407 |
| Кадушкин В.И. Электрон-фононный фактор затухания квантования Ландау электронов с тонкой структурой энергетического спектра | 412 |
| Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Получение гетероструктур окисел---InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками | 417 |
| Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность структур на пятикомпонентных твердых растворах изоэлектронного ряда германия | 422 |
| Низкоразмерные системы | |
| Глухов К.Е., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)/(AlAs). Зависимость от граничных условий | 426 |
| Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В. Резонансное -туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs | 436 |
| Карпович И.А., Звонков Б.Н., Левичев С.Б., Байдусь Н.В., Тихов С.В., Филатов Д.О., Горшков А.П., Ермаков С.Ю. Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs | 448 |
| Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А. Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям | 455 |
| Кунец В.П., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Брыкса В.П. Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSSe | 465 |
| Брунков П.Н., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Конников С.Г., Расулова Г.К. Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs | 469 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Колосов С.А., Клевков Ю.В., Плотников А.Ф. Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe | 473 |
| Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Сресели О.М. Экситонная фотолюминесценция в легированных квази-1D структурах на основе кремния | 479 |
| Yakuphanoglu F., Aydin M., Arsu N., Sekerci M. A Small-Molecule Organic Semiconductor | 486 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Васильев В.И., Гаврин В.Н., Веретенкин Е.П., Козлова Ю.П., Куликов В.Б., Марков А.В., Поляков А.Я. Характеристики детекторов ядерного излучения на основе полуизолирующего арсенида галлия | 490 |
| Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb | 498 |
| Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. Тепловой расчет -диодов на основе карбида кремния | 504 |
| Персоналии | |
| Ия Павловна Ипатова | 512 |