ФТП, 2004, том 38, выпуск 2ФТП, 2004, том 38, выпуск 2| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Обзоры | |
| Лебедев А.А., Иванов А.М., Строкан Н.Б. Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе О б з о р | 129 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю. Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака | 151 |
| Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Syvajarvi M., Yakimova R. Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме | 153 |
| Лебедев М.В., Mayer Th., Jaegermann W. Адсорбция сольватированных гидросульфид-ионов на поверхность GaAs(100): роль растворителя при модификации структуры поверхности | 156 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnInS и MnGaS | 164 |
| Нифтиев Н.Н. Электрические свойства монокристаллов MnInS | 166 |
| Боднарь И.В., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительные структуры на основе соединения AgInS | 168 |
| Шалдин Ю.В., Вархульска И., Иванов Ю.М. Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием | 172 |
| Гридчин В.А., Любимский В.М. Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния | 179 |
| Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е., Мюллер Е. Примесные состояния олова в твердых растворах BiTeSe () | 186 |
| Немов С.А., Серегин П.П., Волков В.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (PbSn)InTe | 190 |
| Парфенова И.И. -примеси замещения в кубическом карбиде кремния | 194 |
| Егоров С.В., Забродский А.Г., Парфеньев Р.В. О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл--изолятор в компенсированном Ge:Ga | 197 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С. Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InS | 202 |
| Низкоразмерные системы | |
| Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlGaAs на фононах | 207 |
| Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Рябцев Г.И., Соболев М.М. Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия | 213 |
| Куликов В.Б., Аветисян Г.Х., Василевская Л.М., Залевский И.Д., Будкин И.В., Падалица А.А. Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения | 218 |
| Аверкиев Н.С., Жуков А.Е., Ивaнов Ю.Л., Петров П.В., Романов К.С., Тонких А.А., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Энергетическая структура -центров в квантовых ямах | 222 |
| Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Казак-Казакевич А.З., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках -Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии | 226 |
| Марков С.А., Сейсян Р.П., Кособукин В.А. Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AB с широкими квантовыми ямами | 230 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н. Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом | 237 |
| Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. Экспериментальное исследование -диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне | 242 |
| Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения в двухчастотных полупроводниковых лазерах | 244 |
| Персоналии | |
| Виталий Иванович Стафеев ( к 75-летию со дня рождения ) | 249 |