ФТП, 2003, том 37, выпуск 12ФТП, 2003, том 37, выпуск 12| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Asomoza R., Kudriavtsev Yu., Villegas A., Godines A. Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния | 1409 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Серегин Н.П. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений | 1414 |
| Косяченко Л.А., Марков А.В., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М. Особенности электропроводности монокристаллов CdZnTe и CdMnTe | 1420 |
| Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х. Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монокристаллического кремния | 1427 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Бирюлин В.П., Дудко С.А., Коновалов С.А., Пелевин Ю.А., Туринов В.И. Исследование границы раздела ZnSCdHgTe | 1431 |
| Махний В.П., Янчук А.И. Механизмы формирования фототока в гетеропереходах InOInSe | 1435 |
| Низкоразмерные системы | |
| Шелых И.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е. Спиновая деполяризация в спонтанно поляризованных низкоразмерных системах | 1438 |
| Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Заморянская М.В., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Merz J., Mintairov A., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В., Шаренкова Н.В. Фотонные кристаллы на основе композитов опал-GaP и опал-GaPN: получение и оптические свойства | 1449 |
| Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Zakharov N.D., Werner P. Фотолюминесценция при комнатной температуре в диапазоне 1.51.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs, выращенных при низкой температуре подложки | 1456 |
| Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs | 1461 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов | 1465 |
| Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии | 1473 |
| Рожков А.В., Козлов В.А. Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия | 1477 |
| Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Ударно-ионизационный волновой пробой и генерация пикосекундных сверхширокополосных и сверхвысокочастотных импульсов в дрейфовых диодах на основе GaAs с резким восстановлением | 1480 |
| Персоналии | |
| Владимир Иделевич Перель ( к 75-летию со дня рождения ) | 1482 |
| Именной указатель | 1483 |
| Предметный указатель | 1514 |