ФТП, 2003, том 37, выпуск 7ФТП, 2003, том 37, выпуск 7| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| \sl Теруков Е. III Международная конференция \glqq Аморфные и микрокристаллические полупроводники\grqq | 769 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Исмаилов Д.И., Алиева М.В., Алекперов Э.Ш., Алиев Ф.И. Электронографическое исследование многоструктурности аморфных пленок полиморфного TlInS | 772 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Бабаев А.А., Камилов И.К., Вагабова З.В., Султанов С.М., Асхабов А.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Влияние низкой концентрации примеси Au на фотолюминесценцию стехио- и нестехиометрического состава сульфида мышьяка | 776 |
| Соболев В.Вал., Соболев В.В. Фундаментальные спектры оптических функций селенида бериллия | 779 |
| Соболев В. Вал., Соболев В.В. Оптические свойства дефектного селенида индия | 784 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Шерченков А.А. Спектральная фоточувствительность гетероструктур -SiGe : H/-Si | 790 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков E.И., Форш П.А. Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием | 793 |
| Сморгонская Э.А. К вопросу об исследовании композитов на основе нанопористого углерода методом малоуглового рентгеновского рассеяния | 796 |
| Березкин В.И., Викторовский И.В., Вуль А.Я., Голубев Л.В., Петрова В.Н., Хорошко Л.О. Фуллереновые микрокристаллы как адсорбенты органических соединений | 802 |
| Кютт Р.Н., Данишевский А.М., Сморгонская Э.А., Гордеев С.К. Рентгенодифракционное исследование структуры нанопористого углерода, полученного из карбидных материалов | 811 |
| Kasap S.O., Koughia K.V., Fogal B., Belev G., Johanson R.E. The influence of deposition conditions and alloying on the electronic properties of amorphous selenium | 816 |
| Кулакова Л.А., Мелех Б.Т., Бахарев В.И., Кудоярова В.Х. Синтез и физические свойства стекол в системах Si(Ge)SeTe | 822 |
| Бабаев А.А., Камилов И.К., Вагабова З.В., Султанов С.М., Асхабов А.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Влияние примесей редкоземельных элементов на фотолюминесценцию стеклообразного GeS | 827 |
| Серегин Н.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П., Серегин П.П., Троицкая Н.Н. Влияние перехода порядок--беспорядок в электронной подсистеме кристалла на электронную плотность в узлах решетки | 830 |
| Юрре Т.А., Рудая Л.И., Климова Н.В., Шаманин В.В. Органические материалы для фотовольтаических и светоизлучающих устройств | 835 |
| Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Компан М.Е., Кудоярова В.Х., Подешво И.В., Теруков Е.И., Кудрявцев В.В. Оптические и электрические свойства полиамидокислоты и металл-полимерного комплекса с Tb на ее основе | 844 |
| Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Подешво И.В., Гофман И.В., Кудрявцев В.В. Светочувствительные свойства новых фотопроводящих полимеров на основе бихинолиловых комплексов рутения | 846 |
| Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Субботина Л.И., Ромашкова К.А., Гофман И.Ф., Кудрявцев В.В., Якиманский А.В. Оптические и светочувствительные свойства гребнеобразных полиамидоимидов | 849 |
| Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудоярова В.Х. Изучение влияния кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия в пленках -SiO : H, полученных магнетронным способом | 853 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Голубев В.Г., Дукин А.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. Расщепление резонансных оптических мод в микрорезонаторах ФабриПеро | 860 |
| \leaders \hrule \kern Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю. Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота | 866 |
| Светухин В.В., Гришин А.Г., Приходько О.В. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии | 871 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н. Особенности электронного парамагнитного резонанса в -SiC в области фазового перехода изолятор--металл. I. Эффекты спинового взаимодействия | 874 |
| Дубровский В.Г., Егоров В.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Крыжановская Н.В., Цацульников А.Ф., Устинов В.М. Теоретические и экспериментальные исследования влияния скорости роста InAs на свойства ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs | 883 |
| Низкоразмерные системы | |
| Черкашин Н.А., Максимов М.В., Макаров А.Г., Щукин В.А., Устинов В.М., Луковская Н.В., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Берт Н.А., Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Управление параметрами массивов квантовых точек InAs--GaAs в режиме роста Странского--Крастанова | 890 |