ФТП, 2003, том 37, выпуск 6ФТП, 2003, том 37, выпуск 6| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы | 641 |
|---|---|
| Киланов Д.В., Попов В.П., Сафронов Л.Н., Никифоров А.И., Шольц Р. Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором | 644 |
| Александров О.В., Афонин Н.Н. Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния | 649 |
| Nemcsics Akos, Makai Janos P. Defect profiling in semiconductor layers by electrochemical method | 657 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Гасенкова И.В., Чубаренко В.А., Тявловская Е.А., Свечникова Т.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута | 661 |
| Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdVS и структурах на их основе | 666 |
| Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры | 671 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации с поверхности (111) алмазоподобного кристалла | 674 |
| Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Получение и свойства монокристаллов ZnFeS и структур на их основе | 681 |
| Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП структуры | 686 |
| Дунаевский М.С., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Титков А.Н., Laiho R. Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах | 692 |
| Низкоразмерные системы | |
| Попов Н.Л., Успенский Ю.А., Турьянский А.Г., Пиршин И.В., Виноградов А.В., Платонов Ю.Я. Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии | 700 |
| Климовская А.И., Дрига Ю.А., Гуле Е.Г., Пикарук О.А. Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах | 706 |
| Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С., Деркач А.В. Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонным легированием | 711 |
| Ханин Ю.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е. Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний | 717 |
| Валах М.Я., Вуйчик Н.В., Стрельчук В.В., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Иванов С.В., Копьев П.С. Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe | 724 |
| Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Германенко А.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Бирюков А.А. Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом | 730 |
| Поклонский Н.А., Кисляков Е.Ф., Вырко С.А. О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе | 735 |
| Качурин Г.А., Яновская С.Г., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO | 738 |
| Покутний С.И. Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах | 743 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона | 748 |
| Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в -Si : H(B) | 753 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Pizzini S. Эффективный кремниевый светодиод с температурно-стабильными спектральными характеристиками | 756 |
| Иванов С.В., Моисеев К.Д., Кайгородов В.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Гребенщикова Е.А., Седова И.В., Терентьев Я.В., Семенов А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Торопов А.А., Яковлев Ю.П., Копьев П.С., Алферов Ж.И. Инжекционный ИК лазер ( мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии | 762 |