ФТП, 2003, том 37, выпуск 5ФТП, 2003, том 37, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии --- достижения и проблемы | 513 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Шарков А.И., Коростелин Ю.В., Зайцев В.В. Распространение неравновесных фононов в монокристаллическом ZnTe | 539 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Кондаков О.В., Иванов К.Г. Магнитооптические осцилляции в висмуте при температурах K | 543 |
| Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Стеганцов С.В. Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs | 546 |
| Ткачман М.Г., Шубина Т.В., Жмерик В.Н., Иванов С.В., Копьев П.С., Паскова Т., Монемар Б. Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии | 552 |
| Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми | 557 |
| Смагулова С.А., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Скуратов В.А. Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий | 565 |
| Назыров Д.Э. Диффузия европия в кремнии | 570 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGaSe | 572 |
| Низкоразмерные системы | |
| Сизов Д.С., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Егоров В.А., Тонких А.А., Жуков А.Е., Михрин С.С., Васильев А.П., Мусихин Ю.Г., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs | 578 |
| Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Модель многоостровковых одноэлектронных цепочек на основе метода Монте-Карло | 583 |
| Борисенко С.И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами | 588 |
| Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / AlGaAs (110) | 592 |
| Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем | 599 |
| Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Зерова В.Л., Фирсов Д.А. Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах | 604 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый -SiC | 612 |
| Зюбин А.С., Григорьев Ф.В., Дембовский C.А. Квантово-химическое моделирование влияния дефектов на инфракрасный спектр и электронную структуру -Se | 616 |
| Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера | 622 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Замятин Н.И. Обнаружение примеси водорода в кремниевых детекторах излучения | 629 |