ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск		KOI	WIN	DOS


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Поляков М.Е. Многочастотные кинки в многочастотных внешних полях	3
Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах Cd_xHg_1-xTe	8
Скворцов А.А., Литвиненко О.В., Орлов А.М. Определение констант деформационного потенциала $n$ -Si, $p$ -Si по концентрационному ангармонизму	17

Электронные и оптические свойства полупроводников
Брудный В.Н., Пешев В.В. Влияние электронного (зарядового) состояния $E$ -ловушек на эффективность их накопления в $n$ -GaAs при облучении	22

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Игамбердиев Х.Т., Мамадалимов А.Т., Муминов Р.А., Усманов Т.А., Шоюсупов Ш.А. Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием	29
Глауберман М.А., Егоров В.В., Козел В.В., Канищева Н.А. Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей	32
Коваленко В.Ф., Шутов С.В. Размерный эффект двухфотонного поглощения рекомбинационного излучения в варизонных твердых растворах Al_xGa_1-xAs	39
Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si--SiO₂	44
Барановский О.К., Кучинский П.В., Савенок Е.Д. Шумовые характеристики кремниевых $p-n$ -структур с тонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов	50
Блинова Н.В., Краснопеева Е.Л., Николаев Ю.А., Осадчев А.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов кремний--полигомосопряженные элементоорганические соединения	53
Астрова Е.В., Коровин Л.И., Ланг И.Г., Ременюк А.Д., Шуман В.Б. Прозрачность макропористого кремния со сквозными каналами	57
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимовa Р. Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения	65

Низкоразмерные системы
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Рогозин В.А., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Хабаров Ю.В., Нарюми Е., Киндо К., де Виссер А. Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек	70
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Кульбачинский В.А. Исследования электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения	77

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Гинзбург Л.П. Влияние заряженных дефектов на обнаружение электронного парамагнитного резонанса в стеклообразных халькогенидных полупроводниках	83
Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Стась В.Ф. Электрофизические свойства структур Si : H/ $p$ -Si, полученных имплантацией водорода	93
Лисовский И.П., Индутный И.З., Гненный Б.Н., Литвин П.М., Мазунов Д.О., Оберемок А.С., Сопинский Н.В., Шепелявый П.Е. Фазово-структурные превращения в пленках SiO_x в процессе вакуумных термообработок	98
Венгер Е.Ф., Голиней Р.Ю., Матвеева Л.А., Васин А.В. Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения и спектр электронных состояний пористого кремния	104
Бирюлин Ю.Ф., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Орлов С.Е., Петриков В.Д., Сыкманов Д.А., Згонник В.Н. Оптические свойства фуллеренсодержащих свободных пленок полидиметилфениленоксида	110

Физика полупроводниковых приборов
Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Карачинский Л.Я., Копчатов В.И., Новиков И.И., Устинов В.М., Копьев П.С. Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров на основе вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации	114
Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах	117