Web of Science®
ФТИ в 2000–12 гг.
Статей 11765
Цитируемость 93452
Индекс Хирша 92
Основные достижения
Отчет ФТИ 2012
 

Премии ФТИ

Год

 
 
Всего записей: 184
2000, Премия ФТИ
Титков,АН;Анкудинов,АВ;Дунаевский,МС;Иванов,СВ;Сорокин,СВ;Шубина,ТВ
Наноморфология поверхностей кристаллов соединений II-VI, содержащих Se и S
Лаб. Титкова,АН;Титкова,АН;Титкова,АН;Копьева,ПС;Копьева,ПС;Копьева,ПС
2000, Премия ФТИ
Урпин,ВА;Коненков,ДЮ
Магнитная эволюция нейтронных звезд и природа сверхплотного вещества
Лаб. Варшаловича,ДА;Варшаловича,ДА
2000, Премия ФТИ
Агеев,ВН;Кузнецов,ЮА
Электронно-стимулированная десорбция атомов щелочных металлов с поверхности окисленного молибдена
Лаб. Агеева,ВН;Агеева,ВН
2000, Премия ФТИ
Винокуров,ДА;Кочнев,ИВ;Лившиц,ДА;Пихтин,НА;Тарасов,ИС
Мощные лазеры на основе гетероструктур с малыми внутренними потерями, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
Лаб. Тарасова,ИС;Устинова,ВМ;Устинова,ВМ;Тарасова,ИС;Тарасова,ИС
2000, Премия ФТИ
Гурченко,АД;Гусаков,ЕЗ;Каганская,НМ;Новик,КМ;Селенин,ВЛ;Степанов,АЮ
Корреляционная диагностика волн и флуктуаций магнитоактивной плазмы методом усиленного рассеяния
Лаб. Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ
2000, Премия ФТИ
Кардо-Сысоев,АФ;Брылевский,ВИ;Зазулин,СВ;Леликов,ЮС;Смирнова,ИА;Чашников,ИГ
Силовые импульсные полупроводниковые приборы и сверхширокополосные импульсные системы
Лаб. Грехова,ИВ;Грехова,ИВ;Грехова,ИВ-2;Забродского,АГ;Грехова,ИВ;undef
2000, Премия ФТИ
Давыдов,ВЮ; Клочихин,АА; Емцев,ВВ; Иванов,СВ; Усиков,АС; Смирнов,АН
Исследование динамики кристаллической решетки полупроводниковых нитридов (GaN, AlN, InN и их твердые растворы)
Лаб. Каплянского,АА;Каплянского,АА;twin;Копьева,ПС;Устинова,ВМ;Каплянского,АА
1999, Премия ФТИ
Шредник,ВН;Логинов,МВ;Голубев,ОЛ;Конторович,ЕЛ;Судакова,ТИ
Высокотемпературное полевое испарение и точечные источники ионов
Лаб. Голубева,ОЛ;Голубева,ОЛ;Голубева,ОЛ;Голубева,ОЛ;Голубева,ОЛ
1999, Премия ФТИ
Березовец,ВА;Парфеньев,РВ;Михайлова,МП;Моисеев,КД;Рогов,АЕ;Яковлев,ЮП
Квантовый магнетотранспорт в полуметаллическом канале на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs
Лаб. Парфеньева,РВ;Парфеньева,РВ;Яковлева,ЮП;Яковлева,ЮП;undef;Яковлева,ЮП
1999, Премия ФТИ
Агринская,НВ;Козуб,ВИ;Полянская,ТА
Влияние верхней хаббардовской зоны на прыжковую проводимость 3D и 2D полупроводниковых структур
Лаб. Забродского,АГ;Козуба,ВИ;Вуля,АЯ
Страницы: « | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19| »


FIZMATLIT Издание книг
Lambert Academic Publishing Издание книг



 
 
© 2005-12 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика