• физика и технология (MBE, MOCVD) кремния и полупроводниковых гетероструктур групп A³B⁵, А²В⁶ и A³-N, в особенности низкоразмерных наноструктур (квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек)
• электронное материаловедение и диагностика (просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия, электронный микроанализ проб, рентгеновская дифракция и топография, электронная Оже-спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, спектроскопия переходов с глубоких уровней)
• оптоэлектроника, наноэлектроника, спинтроника на основе низкоразмерных гетероструктур
• фотовольтаические преобразователи и солнечные элементы
• теория электрических, оптических и квантовых когерентных явлений в полупроводниках
• сверхбыстрые процессы и нелинейные оптические явления
• полупроводниковые лазерные диоды (CW, DFB и пикосекундные гетероструктурные лазеры, лазеры с электронно-лучевой накачкой), фотодетекторы и фотоэлементы для среднего ИК, ИК, видимого и УФ спектральных диапазонов
• импульсные мощные приборы на основе полупроводниковых соединений группы A³B⁵

Научные работники: 262

В том числе:

• докторов наук — 44
• кандидатов наук — 116

Средний возраст научных работников (лет): 47

Руководитель: Копьев Петр Сергеевич, доктор физ.-мат. наук, чл.-корр. РАН

Зам. руководителя: Берт Николай Алексеевич , кандидат физ.-мат. наук

Ученый секретарь: Брунков Павел Николаевич, доктор физ.-мат. наук