Исследование свойств, разрабо-тка и оптимизация мощных лазеров (l=0,78-1,3 мкм) на основе гетероструктур на подложках GaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 26 июня 2000
Розов,АЕ, ФТИ
Лаб. Копьева,ПС
Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 26 июня 2000
Стародубцев,АН, ФТИ
Лаб. Забродского,АГ
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 22 июня 2000
Байдакова,МВ, ФТИ
Лаб. Конникова,СГ
Рентгенография алмазных нанокластеров
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 22 июня 2000
Бурсиан,ВЭ, ФТИ
Лаб. Каплянского,АА
Процессы переноса заряда и оптическое выстраивание дефектов в виртуальных сегнетоэлектриках
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Руководитель:
Четверг, 22 июня 2000
Василевская,ТН, ИХС РАН
Исследование кинетики начальных стадий фазового распада в неорганических стеклах методом рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Руководитель:
Четверг, 22 июня 2000
Чеканов,ВА, ПИЯФ
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-xGex со стороны кремния
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 15 июня 2000
Иванов,СВ, ФТИ
Лаб. Копьева,ПС
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В3 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)