Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te2Si20, полученных при разных уровнях гравитации
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 23 декабря 2004
Калитеевский,МА, ФТИ
Лаб. Копьева,ПС
Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Четверг, 23 декабря 2004
Лушников,СГ, ФТИ
Лаб. Волкова,ВВ
Колебательный спектр частично разупорядоченных сегнетоэлектриков, сегнетоэластиков и родственных соединений
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Понедельник, 20 декабря 2004
Астахова,АП, ФТИ
Лаб. Копьева,ПС
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 20 декабря 2004
Слипченко,СО, ФТИ
Лаб. Тарасова,ИС
Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 16 декабря 2004
Нащекин,АВ, ФТИ
Лаб. Конникова,СГ
Электрические и оптические сойства субмикронных пленок фуллеренов C60
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Руководитель:
Четверг, 11 ноября 2004
Куандыков,ЛЛ, ФТИ
Лаб. Никанорова,СП
Исследование процесса выращивания способом Степанова лент сапфира различной ориентации
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Руководитель:
Понедельник, 11 октября 2004
Кижаев,СС, ФТИ
Лаб. Яковлева,ЮП
Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур In AsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)