Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 29 мая 2006
Нестоклон,МО, ФТИ
Лаб. Ивченко,ЕЛ
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 08 мая 2006
Захарьин,АО, ФТИ
Лаб. Берегулина,ЕВ
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель: Александров,ОВ
Пятница, 05 мая 2006
Никитина,ЕВ, ФТИ
Лаб. Алферова,ЖИ
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волн 1.3 мкм
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 17 апреля 2006
Школьник,АС, ФТИ
Лаб. Тарасова,ИС
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Четверг, 06 апреля 2006
Старухин,АН, ФТИ
Лаб. Каплянского,АА
Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
Четверг, 06 апреля 2006
Черняев,АВ, ФТИ
Лаб. Парфеньева,РВ
Электрофизические свойство твердых растворов на основе PbTe и SnTe при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)
Руководитель:
Понедельник, 20 марта 2006
Семенов,АН, ФТИ
Лаб. Копьева,ПС
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений А3В5
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10)