Final Programme
Last updated June 1, 1999

Sunday, June 13
12.00-21.00Registration
21.00 Welcome party
Monday, June 14
09.30-10.40 Opening session
10.40-11.10Coffee Break
11.10-12.50 Quantum Wires and Quantum Dots-I
12.50-13.00Break
13.00-14.00 Transport in Nanostructures
14.00-15.00Lunch
15.00-16.10 Lasers and Optoelectronic Devices-I
16.10-16.40Coffee Break
16.40-18.10 2D Electron Gas
18.10-19.00Dinner
19.00-23.00Excursion-I
Tuesday, June 15
09.30-11.30Quantum Wires and Quantum Dots-II
11.30-12.00Coffee Break
12.00-13.30Ordered Arrays of Nanoparticals
13.30-14.30Lunch
14.30-16.00Nanostructure Characterization and Novel Atomic-scale Probing
16.00-16.10Break
16.10-17.10Tunnelling Phenomena
17.10-17.40Coffee Break
17.40-20.00Poster Session-I
20.00-21.00Dinner
Wednesday, June 16
09.00-14.00Excursion-II
14.00-15.00Lunch
15.00-17.20Quantum Wells and Superlattices
17.20-17.30Break
17.30-20.00Poster Session-II
20.00-21.00Dinner
21.00-22.00Panel Session
Thursday, June 17
09.30-11.20Lasers and Optoelectronic Devices-II
11.20-11.50Coffee Break
11.50-13.20Nanostructure Devices
13.30-14.30Lunch
14.30-16.20Nanostructure Technology-I
16.20-16.50Coffee Break
16.50-18.10Far-Infrared Phenomena in Nanostructures
18.10-19.00Dinner
20.00Banquet
Friday, June 18
09.30-11.20Nanostructure Technology-II
11.20-11.50Coffee Break
11.50-13.20Excitons in Nanostructures
13.30-14.30Lunch
14.30-16.30Closing session
16.45Departure

Monday, June 14

Opening Session
09:30–10:40

 
Zh. I. Alferov and Ed. A. Tropp
St Petersburg Scientific Centre -- historic core of the Russian Academy of Sciences
OS.01i
B. Shklovskii
New phases in quantum Hall effect. Prediction and discovery
OS.02i
S. V. Ivanov, A. A. Toropov, T. V. Shubina, S. V. Sorokin, A. V. Lebedev, I. V. Sedova and P. S. Kop'ev
II–VI laser heterostructures with different types of active region

Quantum Wires and Quantum Dots–I
11:10–12:50

QWR/QD.01i
S. Tarucha
Correlated electrons in quantum dot atoms and molecules
QWR/QD.02i
Satyadev Nagaraja and J.-P. Leburton
Electronic properties and many-body effects in quantum dots
QWR/QD.05
V. K. Kalevich, K. V. Kavokin, M. Paiilard, X. Marie, P. La Jeune, T. Amand
M. N. Tkachuk, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov and B. P. Zakharchenya
Spin separation in self-organized quantum dots under optical orientation of electrons
QWR/QD.06
I.E. Kozin,I. V. Ignatiev, S. Nair, H.-W. Ren, S. Sugou and Y. Masumoto
LO phonon mediated relaxation in InP self assembled quantum dots in electric field

Transport in Nanostructures
13:00–14:00

TN.01
K. S. Novoselov, Yu. V. Dubrovskii, V. A. Sablikov, D. Yu. Ivanov, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, V. A. Tulin, D. Esteve, and S. Beaumont
The nonlinear conductance of the quantum wires normally pinched-off by the surface potential
TN.02
V. T. Petrashov, I. A. Sosnin, I. Cox, A. Parsons, and C. Troadec
Mesoscopic superconductors in proximity to nanomagnets
TN.03
N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Y. Wu, R. Zhang, S. F. Li
Transport properties of InAlAs/InGaAs/InP graded channel pseudomorphic high electron mobility structures

Lasers and Optoelectronic Devices–I
15:00–16:10

LOED.01i
J. Lott
Progress in red vertical cavity surface emitting lasers
LOED.03
D. L. Huffaker, O. Shchekin, G. Park, Z. Z. Zou, S. Csutak and D. G. Deppe
Temperature dependence of spontaneous emission and threshold characteristics for 1.3 µm InGaAs/GaAs quantum dot GaAs-based lasers
LOED.04
A. V. Sakharov, W. V. Lundin, V. A. Semenov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, A. Hoffmann and D. Bimberg
Surface-mode lasing from optically pumped InGaN/GaN heterostructures

2D Electron Gas
16:40–18:10

2DEG.01i
A. O. Govorov, M. Rotter, M. Streibl, C. Rocke, A. V. Kalameitsev, A. Wixfor, and J. P. Kotthaus
Acousto-electric transport through a two-dimensional system in the nonlinear regime
2DEG.02
R. T. F. van Shaijk, A. de Visser, S. Oltshoorn, H. P. Wei and A. M. M. Pruisken
The plateau-insulator phase transition in the quantum Hall regime
2DEG.03
I. L. Drichko, A. M. Diakonov, V. D. Kagan, V. V. Preobrazenskiy, D. A. Pristinski, I. Yu. Smirnov, A. I. Toropov
High-frequency hopping conductivity of two-dimensional electronic system in GaAs/AlGaAs heterostructures (acoustical method)
2DEG.04
P. M. Koenraad, A. F. W. van de Stadt, J. H. Wolter, A. Dekeyser, R. Bogaerts and F. Herlach
Reduction of the intersubband scattering delta doped layers by the Lorentz-force of an in-plane magnetic field
Tuesday, June 15

Quantum Wires and Quantum Dots–II
09:30–11:30

QWR/QD.03i
M. Straßburg, R. Engelhardt, R. Heitz, U. W. Pohl, S. Rodt, V. Türck, A. Hoffmann, D. Bimberg, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer and D. Gerthsen
Quantum dots formed by ultrathin CdSe-ZnSe insertions
QWR/QD.04i
V. V. Kulakovskii, A. Forchel, M. Bayer, G. Bacher
Excitons and multiexcitons in II–VI and III–V semiconductor quantum dots in magnetic field
QWR/QD.07
Valery Zwiller, Mats-Erik Pistol, M. A. Odnoblyudov and Lars Samuelson
Temperature studies of single InP quantum dots
QWR/QD.08
Mats-Erik Pistol, Dan Hessman, Craig Pryor and Lars Samuelson
Stark shift of individual quantum dots
QWR/QD.09
D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Henecker, B. K. Meyer, N. G. Romanov, A. I. Ekimov, T. Gacoin, G. Counio and J. P. Biolot
Optical and magnetic resonance investigations on Mn doped CdS nanocrystals

Ordered Arrays of Nanoparticles
12:00–13:30

OAN.01i
A. A. Fraerman, S. A. Gusev, I. M. Nefedov, I. R. Karetnikova, L. A. Mazo, M. V. Sapozhnikov, Yu. N. Nozdrin, I. A. Shereshevskii and L. V. Suhodoev
2D lattices of ferromagnetic nanoparticles as supermagnetics
OAN.02
S. A. Gusev, S. V. Gaponov, A. A. Fraerman, L. A. Mazo, M. V. Sapozhnikov, Yu. N. Nozdrin and L. V. Suhodoev
Fabrication and magnetic properties of 2D arrays of nanoparticles
OAN.03
V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, V. M. Kouznetsov, V. M. Mikushkin, S. Yu. Nikonov, A. N. Titkov and A. V. Ankudinov
Granulated metallic nanostructure fabricated by laser ablation
OAN.04
V. N. Bogomolov, N. A. Feoktistov, V. G. Golubev, J. L. Hutchison, D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov, J. Sloan and L. M. Sorokin
Three-dimensional (3D) arrays of silicon nanosize elements in the void sublattice of artificial opals

Nanostructure Characterization and Novel Atomic-scale Probing Techniques
14:30–16:00

NC.01i
J. C. Maan
High magnetic fields to study materials properties and physics of semiconductor nanostructures
NC.02
N. D. Zakharov, P. Werner, V. M. Ustinov, G. E. Cirlin, O. V. Smolski, D. V. Denisov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, R. Heitz and D. Bimberg
Structure of stacked InAs quantum dots in a Si matrix: HRTEM experimental results and modeling
NC.03
A. V. Ankudinov, A. N. Titkov, T. V. Shubina, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, A. Waag, G. Landwehr
Cross-sectional atomic force microscopy of~ZnSe-based laser diodes
NC.04
N. S. Maslova, V. I. Panov, V. V. Rakov, S. V. Savinov, A. Depuydt and C. Van Haesendonck
Low temperature scanning tunneling spectroscopy of different individual impurities on GaAs (110) surface and in subsurface layers

Tunnelling Phenomena
16:10–17:10

TP.01
E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, K. S. Novoselov, D. Yu. Ivanov, Yu. V. Dubrovskii, L. Eaves, P. C. Main, A. Patane, A. Polimeni, M. Henini, J. Middleton and G. Hill
Resonant tunneling through GaAs quantum well with embedded InAs quantum dots
TP.02
V. A. Volkov, M. Feiginov, Yu. V. Dubrovskii, V. G. Popov, E. E. Vdovin, L. Eaves, P. Main, M. Henini, A. K. Geim, J. K. Maan, M. S. Skolnick
The step-like features on the I–V curves of the resonant tunneling diodes: current vortexes?
TP.03
M. N. Feiginov, V. A. Volkov, L. Eaves and J. K. Maan
Quantum-well plasma instability in the resonant tunneling regime

Poster Session–I
17:40–20:00

2D Electron Gas

2DEG.05p
N. S. Averkiev, L. E. Golub and S. A. Tarasenko
Role of intensive intersubband transitions in Shubnikov–de Haas oscillations and in weak localization
2DEG.06p
D. A. Bakaushin, A. S. Vedeneev, V. E. Sizov, B. A. Aronzon, N. K. Chumakov, A. B. Davydov and E. Z. Meilikhov
High-temperature conductance quantization: the case of quasi-2D percolating structures
2DEG.07p
E. M. Baskin, M. V. Entin
Antidot lattice in QHE regime: macroscopic limit
2DEG.08p
V. I. Borisov, V. A. Sablikov, A. I. Chmil' and I. V. Borisova
Real-space transfer of electrons under a random potential: a possible mechanism of current instability in heterostructures
2DEG.09p
A. V. Chaplik and L. I. Magarill
Electrostatics and kinetics of 2D electrons in lateral superlattices on vicinal planes
2DEG.10p
A. V. Germamnenko, V. A. Larionova, G. M. Minkov and S. A. Negashev
Anomalous magnetoconductance due to weak localization in 2D systems with anisotropic scattering: computer simulation
2DEG.11p
M. V. Yakunin, Yu. G. Arapov, O. A. Kuznetsov, V. N. Neverov
Unusually wide plateau of the quantum Hall effect in a quasi bilayer hole system inside the p-GeSi/Ge/p-GeSi quantum well

General Properties of Low Dimensional Structures

GPLDS.01p
H.- J. Drouhin, G. Lampel, Yu. A. Mamaev, A. V. Subashiev and Yu. P. Yashin
Spin and energy resolved near-threshold electron photoemission from strained GaAs/GaAsP heterostructure
GPLDS.02p
Yu. E. Kitaev, M. F. Kokorev and P. Tronc
Symmetry of the GaAs crystal with delta-doping Si layers and its influence on the band structure
GPLDS.03p
V. A. Kulbachinskii, V. G. Kytin, R. A. Lunin, A. V. Golikov, A. V. Demin, V. G. Mokerov, A. S. Bugaev, A. P. Senichkin, P. M. Koenraad, R. T. F. van Schaijk and A. de Visser
Observation of negative persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn
GPLDS.04p
E. E. Takhtamirov, V. A. Volkov
Effective-mass approximation for electrons in ultrathin heterolayers

Microcavities & Photonic Crystals

MPC.01p
S. Rudin and T. L. Reinecke
Polariton effects in optical spectra of microcavities
MPC.02p
M. Singh, W. Lau and J. Desforges
Dressed polariton emission in III-V semiconductor doped with quantum wells or quantum dots
MPC.03p
Yu. A. Vlasov, M. A. Kaliteevski and V. V. Nikolaev
Light localization in a disordered photonic crystal

Nanostructure Characterization and Novel Atomic-scale Probing Techniques

NC.05p
A. G. Banshchikov, A. V. Kimel, V. V. Pavlov, R. V. Pisarev, N. S. Sokolov, and Th. Rasing
Second harmonic generation probing of MnAs/Si(111) heterostructures
NC.06p
P. N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, A. Polimeni, L. Eaves, P. C. Main, Yu. G. Musikhin, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, and S. G. Konnikov
Electronic structure of stacked self-organized InAs/GaAs quantum dots
NC.07p
A. A. Bukharaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Mozhanova and D. V. Ovchinnikov
Atomic force microscopy characterization of nanostructured materials using selective chemical etching
NC.08p
V. Davydov, H.-W. Ren, S. Sugou and Y. Masumoto
Ionized states in the III–V heterostructure measured by low-temperature capacitance spectroscopy with optical excitation
NC.09p
S. L. Dudarev, M. R. Castell, G. A. D. Briggs and A. P. Sutton
Electron tunnelling at surfaces of Mott insulating d- and f- metal oxides: the ab-initio interpretation of STM images
NC.10p
N. N. Faleev, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin and Y. Takeda
X-ray reciprocal space mapping of coincided As-clusters/GaAs and delta-InAs/GaAs superlattices grown at low temperature

Ordered Arrays of Nanoparticles

OAN.05p
Andrei Susha, Dangsheng Su and Michael Giersig
The preparation of ordered colloidal magnetic particles by magnetophoretic deposition

Silicon Based Nanostructures

SBNS.01p
V. G. Baru, A. P. Chernushich, M. I. Elinson, V. A. Jitov, V. I. Pokalyakin, G. V. Stepanov, A. A. Timofeev and L. Yu. Zaharov
Light-emitting nanocomposite films on the base of silcon nitride and silicon oxynitride layers
SBNS.02p
A. B. Fedotov, L. A. Golovan', P. K. Kashkarov, N. I. Koroteev, M. G. Lisachenko, A. N. Naumov, D. A. Sidorov-Biryukov, V. Yu. Timoshenko and A. M. Zheltikov
Second harmonic generation in porous silicon multilayer periodic structures
SBNS.03p
V. V. Savkin, A. A. Fedyanin, F. A. Pudonin, A. N. Rubtsov and O. A. Aktsipetrov
Optical second harmonic generation studies of the dc-electric field screening in Si-SiO2 multiple quantum wells
SBNS.04p
O. M. Sreseli, D. I. Kovalev and G. Polisski
Polarization anisotropy of photoluminescence of oxidized silicon nanocrystals
SBNS.05p
E. I. Terukov, V. Kh. Kudoyarova, V. Yu. Davydov, K. V. Koughia, G. Weiser and H. Mell
The influence of deposition parameters on the structure of nanocrystalline silicon

Transport in Nanostructures

TN.04p
I. V. Gornyi, A. G. Yashenkin and D. V. Khveshchenko
Coulomb drag in double layer systems with correlated disorder
TN.05p
P. Kleinert, and V. V. Bryksin
Quantum transport theory for semiconductor superlattices
TN.06p
A. N. Lachinov, T. G. Zagurenko, V. M. Kornilov and R. Z. Valiev
Influence of structural transition in metal on charge transport in nanocrystal metal-polymer-metal system
TN.07p
G. M. Mikhailov, I. V. Malikov, A. V. Chernykh, E. Olsson and L. Ryen
Influence of a built-in potential on electron transport properties of metallic ballistic structures, as evidence of quantum-well effect
TN.08p
S. Morozov, A. Balandin, S. Cai, R. Li, Yu. Dubrovskii, K. L. Wang, G. Wijeratne and C. R. Viswanathan
Low flicker noise GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors with submicrometer channel
TN.09p
O. E. Raichev and P. Vasilopoulos
Influence of a magnetic field on the Coulomb drag between quantum wires in the ballistic regime
TN.10p
E. L. Shangina
Scattering processes in the structures with one-dimensional lateral superlattice

Tunnelling Phenomena

TP.04p
V. Ya. Aleshkin, A. V. Biryukov, S. V. Gaponov, Z. F. Krasil'nik and V. L. Mironov
Scanning tunneling microscope investigations of local photoconductivity in InGaAs/GaAs quantum-dimensional nanostructures
TP.05p
Yu. V.Dubrovskii, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, V. G. Popov, D. Yu. Ivanov, D. K. Maude, J.-C. Portal, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini, J. Middleton, A. K. Geim, J. K. Maan and G. Hill
Tunneling between strongly localized two-dimensional electron systems
TP.06p
Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, Yu. V. Dubrovskii, D. K. Maude, J.-C. Portal and T. G. Andersson
Resonant tunneling through single thin barrier heterostructure with spacer layers
TP.07p
I. N. Kotel'nikov, and V. A. Volkov
Intersubband resonant polaron in near-surface delta-doped GaAs
TP.08p
I. Lapushkin A. Zakharova, V. Gergel
Investigation of the characteristics of interband resonant tunnelling diodes with modified barriers
TP.09p
M. Meixner, P. Rodin, E. Schöll, and A. Wacker
Dynamics and stability of lateral current density patterns in resonant-tunneling structures
TP.10p
S. S. Savinskii, N. V. Khokhriakov, S. Melchor
Tunneling quantum current in carbon nanotube's junctions
TP.11p
I. P. Zvyagin
Virtual-tunneling-assisted vertical conduction in superlattices with intentional disorder
Wednesday, June 16

Quantum Wells and Superlattices
15:00–17:20

QW/SL.01i
P. G. Eliseev
Radiative processes in InGaN quantum wells
EN.03
N. N. Sibeldin, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov and B. Etienne
Magnetooptics of the excitonic states in the shallow GaAs/AlGaAs quantum wells
QW/SL.03
C. P. Holfeld, T. W. Canzler, D. M. Whittaker, F. Löser, M. Sudzius, K. Leo and K. Köhler
Impact of Fano resonances on the Wannier–Stark ladder
QW/SL.04
Yu. A. Aleshchenko, I. P. Kazakov, V. V. Kapaev, Yu. V. Kopaev, N. V. Kornyakov, and A. E. Tyurin
Electric field induced interference impurity ionization in coupled quantum wells
QW/SL.05
B. Köning, U. Zehnder, D. R. Yakovlev, W. Ossau, T. Gerhard, M. Keim, A. Waag, and G. Landwehr
Magnetic field-induced type-I type-II transition in (ZnMn)Se/(ZnBe)Se spin superlattices
QW/SL.06
G. V. Astakhov, D. R. Yalovlev, V. P. Kochereshko, G. V. Mikhailov, W. Ossau, J. Nùrnberger, W. Faschinger and G. Landwehr
Magneto-reflectivity studies of ZnSe/ZnMgSSe QWs with low density 2DEG

Poster Session–II
17:30–20:00

Excitons in Nanostructures

EN.05p
S.D. Baranovskii, H. Cordes, R. Eichmann and P. Thomas
Temperature-dependent exciton dynamics in quantum wells
EN.06p
Yu. K. Dolgikh, S. A. Eliseev, I. Ya. Gerlovin, V. V. Ovsyankin, Yu. P. Efimov, I. V. Ignatev, I. E. Kozin, V. V. Petrov, V. Pantukhin and Y Masumoto
Luminescence of HH-excitons in GaAs/GaAlAs superlattices under resonant excitation
EN.07p
Olga L. Lazarenkova, a nd Alexander. N. Pikhtin
Simulation of nanostructures excitonic spectra in an electric field
EN.08p
K. L. Litvinenko, and V. G. Lyssenko
The influence of anticrossing of exciton states on exciton relaxation in GaAs/AlGaAs double single quantum wells

Far-Infrared Phenomena in Nanostructures

FIR.05p
L. E. Vorobjev, S. N. Danilov, V. L. Zerova, Yu. V. Kochegarov, D. A. Firsov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov and V. N. Shastin
Intraband absorption of far-infrared light by electrons in GaAs/AlGaAs quantum wells
FIR.06p
L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, I. E. Titkov, A. M. Tomlinson, C. T. Foxon and A. M. Fox
Photocurrent under carrier tunneling in GaAs/AlGaAs coupled quantum wells embedded in p-i-n heterostructure

Lasers and Optoelectronic Devices

LOED.09p
Ju. V. Alekseeva, M. S. Shatalov and S. A. Gurevich
QW diode laser modulation by lateral gain tailoring
LOED.10p
V. I. Kopchatov, N. Yu. Gordeev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, A. Waag and G. Landwehr
Peculiarities of radiative recombination in BeMgZnSe/ZnCdSe injection lasers
LOED.11p
N. A. Pikhtin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, S. A. Shuravin, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova and I. S. Tarasov
High power broadband singlelobe InGaAsP/InP superluminescent diode
LOED.12p
I. S. Tarasov, L. S. Vavilova, V. A. Kapitonov, D. A. Livshits, A. V. Lyutetskiy, A. V. Murashova, N. A. Pikhtin, G. V. Skrynnikov
Peculiarities of photoluminescence and electroluminescence properties of spontaneously formed periodical InGaAsP/GaAs structures

Nanostructures Devices

ND.05p
V. A. Bykov, A. V. Emelyanov, E. A. Poltoratski and V. N. Riabokon
Nanotechnology methods and creation of the terabit storage
ND.06p
V. A. Sablikov and S. V. Polyakov
Charging effects in a quantum wire with leads
ND.07p
E. S. Soldatov, A. S. Trifonov, S. P. Gubin, V. V. Khanin, G. B. Khomutov, S. A. Yakovenko, A. Yu. Obidenov, V. V. Shorochov and D. B. Suyatin
Single-electron molecular transistors on the base of various types of cluster molecules

Nanostructures Technology

NT.11p
N. S. Averkiev, A. M. Coonis, A. M. Monakhov, A. Ya. Shik and P. M. Koenraad
The electric field fluctuations and the $\delta$-layer broadening in semiconductors
NT.12p
V. L. Berkovits, V. P. Ulin, T. V. L'vova and Akira Izumi
Nitrogen chemisorbed layers on GaAs(100): formation, properties, applications
NT.13p
A. Yu. Egorov, D. Bernklau, M. Schuster, Yu. Sherniakov, V. M. Ustinov and H. Riechert
Optical and structural properties of InGaAsN/GaAs heterostructures
NT.14p
A. K. Kalkan, H. Li, E. Basgall and S. J. Fonash
Micro-protrusion arrays fabricated by e-beam exposure
NT.15p
I. A. Karpovich, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, D. O. Filatov, Yu. Yu. Gushina and S. V. Morozov
Self-organized InGaAs/GaAs quantum wire nanostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy
NT.16p
V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, V. Yu. Davydov, V. V. Ratnikov, V. V. Emtsev, A. N. Smirnov, S. V. Ivanov and P. S. Kop'ev
Influence of initial MBE growth stage on properties of hexagonal InN/Al2O3 films
NT.17p
E. M. Mintairov, I. Kochnev, V. M. Lantratov, J. L. Merz, Yu. Musikhin, A. S. Vlasov, H. D. Robinson, and B. B. Goldberg
Annealing and morphology transformation effects in MOCVD grown of self-organized InAlAs-AlGaAs quantum dots
NT.18p
I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. V. Zverev and Z. Sh. Yanovitskaya
3D-model of epitaxy on diamond-like crystal (111) surface
NT.19p
O. V. Nekrutkina, A. A. Toropov, T. V. Shubina, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov and P. S. Kop'ev
Effect of laser annealing on optical properties of ZnCdSe/ZnSSe quantum well heterostructures
NT.20p
V. Ya. Prinz, S. V. Golod, V. I. Mashanov
Free-standing GeSi/Si micro- and nanotubes
NT.21p
S. N. Rechkunov, I. A. Panaev, A. K. Gutakovsky, A. I. Toropov
InAs/GaAs stacked lateral superlattices grown on vicinal GaAs (001) surfaces by molecular beam epitaxy
NT.22p
Slava. V. Rotkin, RobertA.Suris and Stanley F. Kharlapenko
The energy of the carbon-flake nanocluster: pentagon-pentagon distance optimization
NT.23p
L. G. Rotkina, S. L. Nesterov and A. Naschekin
C60 based microlithography: new method of nanofabrication
NT.24p
I. V. Sedova, S. V. Sorokin, A. A. Sitnikova, R. V. Zolotareva, S. V. Ivanov, and P. S. Kop'ev
Structural defects due to growth interruptions in ZnSe-based heterostructures
NT.25p
E. F. Sheka, E. A. Nikitina and M. Aono
Atom removing from the Si (001) (2x1)–H surface under STM tip. Quantum-chemical approach
NT.26p
N. L. Yakovlev, A. G. Banshchikov, R. N. Kyutt, N. S. Sokolov and L. Hirsch
Growth and structure of MnxCa(1-x)F2 epitaxial films on Si (111)

Quantum Wells and Superlattices

QW/SL.07p
V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, O. A. Kuznetsov, M. D. Moldavskaya, V. L. Vaks and D. B. Veksler
Hole cyclotron resonance in MQW Ge/GeSi heterostructures in quantizing magnetic fields
QW/SL.08p
P. G. Baranov, N. G. Romanov, A. Hofsteatter, B. K. Meyer, A. Scharmann, W. von Förster, F. J. Ahlers and K. Pierz
In-plane linear polarization of luminescence and level anticrossings in GaAs/AlAs superlattices and quantum wells
QW/SL.09p
C. Camilleri, D. Scalbert, J. Allègre, M. Dyakonov, M. Nawrocki, J. Cibert, A. Arnoult and S. Tatarenko
Damping of manganese spin precession in the presence of free carriers in CdMnTe quantum wells
QW/SL.10p
A. A. Gorbatsevich and O. V. Zhabitsky
Nonparabolicities and negative hole masses in quantum wells
QW/SL.11p
Yu. E. Kitaev, M. F. Limonov and P. Tronc
Phonons in wurtzite (GaN)m(AlN)n superlattices: non-monotoneous dependence of the number of Raman-active modes on superlattice period
QW/SL.12p
L. I. Korovin, I. G. Lang and S. T. Pavlov
Combined magnetopolaron in magnetooptical effects in quantum wells
QW/SL.13p
V. V. Krivolapchuk, E. S. Moskalenko, A. L. Zhmodikov, T. S. Cheng and C. T. Foxon
Angular dependence of luminescence from GaAs/AlGaAs DQW
QW/SL.14p
Yu. A. Mityagin, V. N. Murzin, A. A. Pishchulin and I. P. Kazakov
Electric field domains and self-sustained current oscillations in weakly-coupled long period GaAs/AlGaAs superlattices
QW/SL.15p
Kh. Moumanis, R. P. Seisyan, S. I. Kokhanovskii and M. E. Sasin
Band parameters of MQWs heterostructures InGaAs/GaAs: magnetooptical study
QW/SL.16p
A. S. Polkovnikov, E. B. Dogonkine and G. G. Zegrya
Effect of relaxation processes on Auger recombination in semiconductor quantum wells
QW/SL.17p
Yu. A. Romanov, Ju. Yu. Romanova
Gigantic oscillations of DC-Voltage in semiconductor superlattices
QW/SL.18p
M. Singh, J. Desforges and W. Lau
Generation and recombination in semimetallic heterostructures

Quantum Wires and Quantum Dots

QWR/QD.10p
N. S. Averkiev, S. O. Kognovitsky, R. P. Seisyan and V. V. Travnikov
A new type of surface waves on the open metallized nanowires
QWR/QD.11p
E. B. Dogonkine, A. S. Polkovnikov and G. G. Zegrya
Mechanisms of Auger recombination in semiconductor quantum wires
QWR/QD.12p
V. Davydov, I. V. Ignatiev, I. E. Kozin J.-S. Lee, H.-W. Ren, S. Sugou and Y. Masumoto
“Unusual” temperature behavior of the photoluminescence of the InP and InGaAs quantum dots under quasiresonance excitation
QWR/QD.13p
V. P. Evtikhiev, I. V. Kudryashov, E. Yu. Kotel'nikov, A. K. Kryganovskii, A. S. Shkolnik, A. N. Titkov and V. E. Tokranov
Effect of GaAs (001) surface misorientation on the emission from MBE grown InAs quantum dots
QWR/QD.14p
H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, I. Ignatiev and I. Kozin
Cold anti-Stokes photoluminescence of InP self-assembled quantum dots in the presence of electric current
QWR/QD.15p
D. A. Mazurenko, A. V. Scherbakov, A. V. Akimov, D. L. Fedorov, A. J. Kent and M. Henini
Photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots protect in the presence of subband 1.06 µm excitation
QWR/QD.16p
D. B. Turchinovich, V. P. Kochereshko, H. Mariette, R. T. Cox and Y. Merle d'Aubigne
Cladding layer effect on the reflectance and transmission spectra in the CdTe/CdZnTe MQWs
QWR/QD.17p
S. Yu. Verbin, B. V. Novikov, R. B. Juferev, Yu. Stepanov, A. B. Novikov, Dinh Son Thach, I. Shchur, V. G. Talalaev, G. Gobsch, R. Goldhahn, N. Stein, A. Golombek, G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. N. Petrov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov and V. M. Ustinov
Photoluminescence study of electronic structure of InAs quantum dots grown on GaAs vicinal surfaces
QWR/QD.18p
D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, Z. N. Sokolova,I. S. Tarasov
Photoluminescence study of InP nanoscale islands grown by MOVPE in InGaAs/GaAs matrix
QWR/QD.19p
G. Zanelatto, Yu. A. Pusep, N. T. Moshegov, A. I. Toropov, P. Basmaji, J. C. Galzerani
Raman study of the topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots
QWR/QD.20p
G. Zegrya, M. Tkach, O. Makhanets, V. Zharkoy
Electron in quasiplane superlattice of cylindric quantum dots
Thursday, June 17

Lasers and Optoelectronic Devices–II
09:30–11:20

LOED.02i
M. Grundmann
Gain in quantum dots lasers
LOED.05
A. R. Kovsh, D. A. Livshits, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop`ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
3.3 W injection heterolaser based on self-organized quantum dots
LOED.06
I. L. Krestnikov, N. A. Maleev, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, I. V. Kochnev, N. M. Shmidt, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
1.06 and 1.3 µm resonant cavity-enhanced photodetectors based on InGaAs quantum dots
LOED.07
M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, I. N. Kaiander, N.N. Ledentsov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
Lasing from quantum dots formed by activated alloy spinodal decomposition on InAs stressors
LOED.08
A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bedarev, A. R. Kovsh, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, N. A. Maleev, Yu. G. Musikhin, M. V. Maximov, A. A. Suvorova, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, D. Bimberg and P. Werner
1.3 µm emission from 2 ML InAs quantum dots in a GaAs matrix

Nanostructure Devices
11:50–13:20

ND.01i
K. F. Renk
Wide-miniband superlattice devices for microwave and tera-hertz frequencies
ND.02
A. N. Korotkov
Langevin method for shot noise in single-electron tunneling
ND.03
V. A. Krupenin, D. E. Presnov, A. B. Zorin and J. Niemeyer
Single electron transistor of stack design as ultrasensitive electrometer
ND.04
I. Maximov, Q. Wang, M. Graczyk, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert and I. Shorubalko
Processing and characterization of extended InP/GaInAs electron waveguides

Nanostructure Technology–I
14:30–16:20

NT.01i
Michael Heuken
Semiconductor nanostructures grown in production MOVPE reactors
NT.03
V. Ya. Prinz, A. V. Chehovskiy and L. A. Nenasheva
Using of self-formed semiconductor micro- and nanotubes as a precise etch mask
NT.04
W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, M. V. Baidakova, I. L. Krestnikov and N. N. Ledentsov
Growth and characterization of InGaN/GaN nanoscale heterostructures
NT.05
T. V. Shubina, V. V. Mamutin, A. V. Lebedev, V. V. Ratnikov, V. A. Vekshin, A. A. Toropov, N. M. Shmidt, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, M. Karlsteen, U. Sodervall, M. Willander, G. R. Pozina, J. P. Bergman and B. Monemar
Optical and structural characterization of GaN grown by MBE using indium as a surfactant
NT.06
A. V. Novikov, N. V. Vostokov, I. V. Dolgov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, M. D. Moldavskaya, V. V. Postnikov, D. O. Filatov
Growth of self-assembled GeSi islands with narrow size distribution on Si (001)

Far-Infrared Phenomena in Nanostructures
16:50–18:10

FIR.01
L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, Zh. I. Alferov, P. S. Kop'ev, I. V. Kochnev, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov and G. Belenky
Emission and amplification of mid-infrared radiation in quantum well structures under generation of near-infrared light
FIR.02
V. Ya. Aleshkin, A. A. Andronov and E. V. Demidov
New type intraband quantum well laser
FIR.03
R. H. J. De Meester, F. M. Peeters and M. Helm
Optical absorption of biased semiconductor superlattices
FIR.04
Yu. L. Ivanov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, D. V. Tarkin E. Gornic, R. Zobl
Gunn effect and possibility for FIR radiation in strained 2D InGaAs/AlGaAs structure
Friday, June 18

Nanostructure Technology–II
09:30–11:20

NT.02i
V. P. Evtikhiev
Vicinal surface as a tool for QD control: InAs on GaAs
NT.07
V. A. Shchukin and A. N. Starodubtsev
Self-organized growth of composition-modulated alloys
NT.08
G. E. Cirlin, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, V. N. Petrov, D. V. Denisov, V. M. Busov, V. M. Ustinov
Volmer–Webber epitaxial growth of InAs nanoscale islands on Si (100)
NT.09
S. A. Komarov, G. S. Solomon and J. S. Harris Jr.
Growth of InAs self-assembled islands on Ge
NT.10
S. Bose and E. Schöll
Optimization of the size distribution of self-organized quantum dots

Excitons in Nanostructures
11:50–13:20

EN.01i
D. R. Yakovlev, G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, A. Keller, W. Ossau and G. Landwehr
Charged excitons in ZnSe-based QWs
EN.02
I. P. Ipatova, A. Yu. Maslov and O. V. Proshina
Polaron exciton in spherical quantum dot
QW/SL.02
E. L. Ivchenko, V. P. Kochereshko, A. V. Platonov, D. R. Yakovlev, M. Keim, W. Ossau, A. Waag and G. Landwehr
Quantum confined Pockels effect and optical polarized spectroscopy of interfaces in type-II heterostructures
EN.04
Erich Runge and Roland Zimmermann
Exciton relaxation and quantum mechanical level repulsion

Closing Session
14:30–16:30

CS.01i
H. Sakaki
10 nm-scale epitaxial quantum dots and electron population control for physics and device studies
CS.02i
G. Abstreiter
Optical spectroscopy of individual semiconductor quantum dots
CS.03i
P. Solomon
To the limits of CMOS

AIXTRON Young Scientist Award Ceremony

Zh. I. Alferov
Closing remarks
Page design by Nikita Vsesvetskii. © Copyright Ioffe Institute, 1999